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专利名称：一种硅控整流器及其制造方法专利类型：发明专利发明人：石俊,夏洪旭
申请号：CN200810168280.1申请日：20081010公开号：CN101728428A公开日：20100609
摘要：本发明提出了一种硅控整流器及其制造方法，该硅控整流器包括半导体衬底，该半导体衬底上方的N阱和P阱；形成于N阱中的第一P+掺杂区和第一N+掺杂区；形成于P阱中的第二P+掺杂区和第二N+掺杂区；形成于上述N阱与P阱相接合的位置的第三P+掺杂区或第三N+掺杂区；以及该第三P+掺杂区或第三N+掺杂区下方的N阱或P阱中的第四N-掺杂区或第四P-掺杂区。本发明的有益效果在于可以大大降低SCR结构的触发电压值，进而提高其ESD的整体防护能力；可以根据设计者的不同需求调节新的SCR结构的触发电压值，在不同的电路设计中，使其发挥最优的ESD防护能力；在相同的ESD防护需求下，能更节省面积，进而降低设计成本。
申请人：和舰科技(苏州)有限公司
地址：215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号
国籍：CN
代理机构：北京连和连知识产权代理有限公司
代理人：张春媛
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