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专利名称：一种制备高纯球形纳米二氧化硅的方法专利类型：发明专利
发明人：马文会,谢克强,周阳,秦博,杨斌,杨振伟,魏奎先,朱文
杰,伍继君,刘大春,刘永成,周晓奎,戴永年
申请号：CN200910218379.2申请日：20091217公开号：CN101746767A公开日：20100623
摘要：本发明属于一种高纯球形纳米二氧化硅的制备方法，特别是用等离子体氢热还原法制备高纯球形纳米二氧化硅的方法，属于材料技术领域。本发明工艺步骤如下：将含SiO原料在450～1000℃下处理，研磨成粉，酸浸除杂；等离子体反应炉内密闭进行氢热还原，生成Si气体和SiO气体；以10～1000℃/min的速度冷却，SiO歧化反应，离开等离子体区的气体生成Si和SiO球形纳米颗粒；SiO和Si的混合物加热到300～800℃氧化处理，最后得到高纯球形纳米SiO。本方法获得的球形纳米SiO纯度大于99.99％，粒度分布均匀，平均粒径为50～200纳米。工艺流程短、成本低、经济效益高、节能环保。
申请人：昆明理工大学
地址：650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学)
国籍：CN
代理机构：昆明今威专利代理有限公司
代理人：赵云
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