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专利名称：一种半导体器件的制备方法专利类型：发明专利
发明人：谢小兵,刘身健,周虎,严利均申请号：CN2015107050.7申请日：20151027公开号：CN106611701A公开日：20170503
摘要：本发明提供了一种半导体器件制备方法，在同一等离子体反应腔室内进行，包括：向反应腔室中通入第一刻蚀工艺气体，调节反应腔室内的第一刻蚀工艺所需的工艺参数，对半导体器件衬底进行第一刻蚀工艺；判断第一刻蚀工艺已达到刻蚀终点，停止反应腔室内第一刻蚀工艺所需的工艺参数控制；向反应腔室中通入至少两种沉积工艺气体，调节反应腔室内的沉积工艺所需的工艺参数，在完成第一刻蚀工艺的半导体器件衬底表面进行等离子体沉积工艺；两种沉积工艺气体交替循环通入反应腔室，以得到致密的沉积薄膜；判断沉积工艺结束后，停止反应腔室内沉积工艺所需的工艺参数控制；对半导体器件衬底表面得到的沉积薄膜进行第二刻蚀工艺。
申请人：中微半导体设备(上海)有限公司
地址：201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号
国籍：CN
代理机构：上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
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