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专利名称：用于分析半导体器件的系统和方法专利类型：发明专利
发明人：韩振熙,李秉镐,李昌奂,李廷民,马圣民申请号：CN201911094467.6申请日：20191111公开号：CN1123090A公开日：20210202
摘要：本申请公开了用于分析半导体器件的系统和方法。用于分析半导体器件的系统包括刻蚀模块、分析模块和计算模块。刻蚀模块可以以相同的刻蚀速率反复地刻蚀晶片的整个表面，以便暴露晶片在存在要被分析的对象的下一深度处的下一表面。所述分析模块可以从晶片的每个被反复刻蚀的表面获得二维结构信息。所述计算装置用于连续地层叠反复获得的二维结构信息以生成三维图像。
申请人：爱思开海力士有限公司
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
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