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专利名称：有机薄膜晶体管及其制备方法专利类型：发明专利发明人：徐洪远
申请号：CN201711087327.7申请日：20171107公开号：CN107845727A公开日：20180327
摘要：本发明涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管包括：基板；源漏电极层，其形成在所述基板上；有机半导体层，其形成在所述源漏电极层上；有机绝缘层，其形成在所述有机半导体层上；电荷注入层，其形成在所述有机绝缘层上；栅电极层，其形成在所述电荷注入层上。本发明还提供了相应的制备方法。本发明的有机薄膜晶体管提供了一种新型有机薄膜晶体管结构，使有机膜晶体管器件稳定性得以提升；本发明的有机薄膜晶体管制备方法所制备的新型有机薄膜晶体管结构，使有机膜晶体管器件稳定性得以提升。
申请人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
地址：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
国籍：CN
代理机构：深圳市德力知识产权代理事务所
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