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专利名称:一种有机薄膜晶体管及其制备方法专利类型:发明专利
发明人:王向华,熊贤风,刘则,邱龙臻申请号:CN201310181851.6申请日:20130516公开号:CN103325943A公开日:20130925
摘要:本发明实施例提供了一种有机薄膜晶体管及其制备方法,属于有机电子技术领域,能够获得连续打印的有机薄膜晶体管。所述有机薄膜晶体管包括基板以及形成在所述基板上的栅电极层和源漏电极层,在源漏电极层的源漏电极之间形成有有机半导体层,其中在所述栅电极层和有机半导体层之间还形成有由有机聚合物材料制成的第二绝缘层。本发明制备方法包括:在形成有栅电极层的基板上形成有由有机聚合物材料制成的第二绝缘层;在形成有所述第二绝缘层的基板上形成源漏电极层和有机半导体层。本发明用于制造有机薄膜晶体管。
申请人:京东方科技集团股份有限公司
地址:100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
国籍:CN
代理机构:北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人:申健
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