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专利名称：保护半导体免受脉冲激光处理损害的薄牺牲掩膜专利类型：发明专利发明人：J·凯里
申请号：CN200880130407.9申请日：20080716公开号：CN1020998A公开日：20110615
摘要：本公开涉及保护半导体产品或材料免受脉冲激光辐射不利影响的系统和方法。在一些实施方案中，单次激光处理操作后失效的薄牺牲保护掩膜层施加于所述要被激光处理的产品或材料的表面。所述薄保护掩膜层反射，吸收，或者以其他方式保护所述薄保护掩膜层下面的所述产品或材料免受所述激光能量的损害。
申请人：西奥尼克斯股份有限公司
地址：美国马萨诸塞州
国籍：US
代理机构：北京嘉和天工知识产权代理事务所
代理人：严慎
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