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专利名称：用于精制硅的方法及由其精制的硅专利类型：发明专利发明人：福山稔章,和田健司申请号：CN200580023743.X申请日：20050707公开号：CN1984842A公开日：20070620
摘要：本发明涉及一种用于精制含有杂质元素的熔化硅(8)的方法，以便有效地精制硅而不降低精制速度，可以低成本提供用于太阳能电池的硅。根据本发明的一个方面，该方法包括：使纯化气体与该熔化硅(8)接触，从而从该熔化硅(8)中去除含有该杂质元素的产物的步骤，该纯化气体含有同该杂质元素反应的成分，以及使处理气体与该熔化硅(8)接触，该处理气体同该熔化硅(8)具有很低水平的反应活性，从而去除该熔化硅(8)与该纯化气体之间反应的产物。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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