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专利名称：高纯度冶金硅及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：G·巴路爱斯,Y·卡拉提尼,Y·德兰诺伊,C·特拉西申请号：CN02816233.1申请日：20020722公开号：CN1543436A公开日：20041103
摘要：本发明涉及一种专门设计用于制造太阳能电池的硅，其中，杂质的总含量为100－400ppm，硼含量为0.5－3ppm，磷/硼之比为1－3，金属元素的含量为30－300ppm。本发明也涉及一种由氧气或氯气精炼的、含有低于500ppm金属元素的冶金硅制备这种硅的方法，而且，该方法包括：在装备有热坩埚的电炉中，中性气氛下，将所述精炼硅重新熔化；在装备有热坩埚的电炉中移动硅熔体，以便进行等离子体精炼；采用一种混合气体作为等离子体形成气体进行等离子体精炼，所述混合气体包含氩以及至少一种选自于氯、氟、HCl和HF的气体；在铸锭模中，可控气氛下进行铸造，铸造期间，发生偏析凝固。
申请人：英温西尔公司,国家科研中心
地址：法国尚贝里
国籍：FR
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：蔡胜有
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