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专利名称：形成带有组合可控缓冲层的功率半导体器件的方法专利类型：发明专利
发明人：约瑟夫·A·耶德尼克,安阿波·比哈拉,杰弗里·A·韦伯斯
特,约瑟夫·L·坎宝
申请号：CN97117591.8申请日：19970904公开号：CN1180924A公开日：19980506
摘要：一种制造半导体器件的方法及器件,其中,在P+半导体衬底上生长N型牺牲备用层,以吸收衬底中掺杂剂的外扩散。N+缓冲层生长于N型备用层上,N－外延层生长于N+缓冲层上。因备用层的存在,使得最终器件中N+缓冲层的整体掺杂浓度得到精确的控制,备用层在进一步的器件制造过程期间被衬底掺杂剂耗尽。
申请人：哈里公司
地址：美国佛罗里达
国籍：US
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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