专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种半导体器件的制造方法专利类型：发明专利发明人：古贺洋贵申请号：CN98102174.3申请日：19980527公开号：CN1201251A公开日：19981209
摘要：为提供一种半导体器件的制造方法,其中在该半导体器件的沟槽隔离工艺中,在沟槽中不形成任何空隙,而且沟槽的重复间距可以减少到光刻技术的极限,本发明的方法包括,在沟槽隔离工艺中,经一硬掩模蚀刻硅基片以形成沟槽的步骤,以及处理该硬掩模以致使其上部成锥形的步骤。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看