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专利名称：基板处理方法专利类型：发明专利
发明人：李诚泰,小笠原正宏,伊藤雅大申请号：CN201110435763.5申请日：20091224公开号：CN102522330A公开日：20120627
摘要：本发明提供基板处理方法。该基板处理方法能够在处理对象层上形成上表面形状整齐而不出现线条痕迹、并且在底部形状中没有畸变、且防止产生弯曲形状而具有良好的垂直加工形状的孔。作为处理气体使用含有CF气体、CHF气体和CF气体的混合气体，在处理压力为
100mTorr(1.33×10Pa)～150mTorr(2.0×10Pa)的条件下蚀刻作为中间层的BARC膜(53)，接着，作为处理气体使用含有COS气体的气体蚀刻作为下层抗蚀层的ACL膜(52)，之后，作为处理气体使用含有CF气体的气体蚀刻作为处理对象层的氧化膜(51)。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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