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专利名称：一种深P-阱沟槽MOSFET及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：夏华忠,诸建周,谈益民,黄传伟,李健,其他发明人请求
不公开姓名
申请号：CN202010447220.4申请日：20200525公开号：CN111668310A公开日：20200915
摘要：本发明是深P‑阱沟槽MOSFET及其制造方法，其结构是从下至上依次为背面金属、Si衬底、Si外延、P‑阱、N+和正面金属，N+位于P‑阱上方，N+外侧的正面金属与P‑阱之间为P+，P‑阱和N+中心沟槽内为底部和侧面包裹有栅氧的多晶栅，N+、栅氧和多晶栅顶部与正面金属之间为二氧化硅，所述的P‑阱底部纵向延伸至P‑阱和N+中心沟槽下方、横向包裹带有栅氧的多晶栅底部拐角。本发明的优点：对沟槽MOSFET的槽栅底部拐角形成了保护，在改善栅氧可靠性的基础上，提高了短路能力，其它参数无下降。通过在传统工艺流程中，将P‑阱掺杂推结到纵向比沟槽更深、横向包裹住槽栅拐角位置，实现了该结构，与传统工艺兼容易实现。
申请人：江苏东海半导体科技有限公司
地址：214142 江苏省无锡市新吴区硕放街道中通东路88号
国籍：CN
代理机构：苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：叶栋
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