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专利名称：磁记录介质和磁存储装置专利类型：发明专利
发明人：福岛隆之,丹羽和也,张磊,柴田寿人,山口健洋,徐晨,
神边哲也,茂智雄
申请号：CN201910397007.4申请日：20190514公开号：CN110517709A公开日：20191129
摘要：本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L1结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
申请人：昭和电工株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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