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专利名称：表面有机物膜的清除方法专利类型：发明专利发明人：翟海雷
申请号：CN201710854199.8申请日：20170920公开号：CN107665812A公开日：20180206
摘要：本发明涉及一种表面有机物膜的清除方法，包括：提供一芯片样品，所述芯片样品表面具有含碳链的有机物膜；采用反应离子刻蚀工艺，对所述芯片样品表面进行清除处理，去除所述有机物膜，所述反应离子刻蚀工艺的刻蚀时间为5s～35s，刻蚀气体为含氧气体。上述方法可以有效去除芯片样品表面的有机物膜，提高芯片样品利用率。
申请人：德淮半导体有限公司
地址：223300 江苏省淮安江东路599号
国籍：CN
代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
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