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专利名称：对虚拟接地阵列存储装置施加双侧偏压的方法专利类型：发明专利发明人：吴昭谊
申请号：CN200710199601.X申请日：20071211公开号：CN101226773A公开日：20080723
摘要：本发明提供一种对虚拟接地阵列存储装置施加双侧偏压的方法，此存储装置由N－位存储单元阵列所构成。在第一实施例中，虚拟接地阵列由双侧偏压方法而编程，此方法同时施加相同或类似的偏压电压到选定电荷捕捉存储单元的源极区域与漏极区域，使得选定电荷捕捉存储单元的左位和右位可以同时被编程。在第二实施例中，虚拟接地阵列被双侧偏压方法所擦除，此方法同时施加相同或类似的偏压电压，至此虚拟接地阵列中的多个电荷捕捉存储单元的源极区域和漏极区域，使得每一电荷捕捉存储单元的左位和右位同时被擦除。
申请人：旺宏电子股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区
国籍：CN
代理机构：永新专利商标代理有限公司
代理人：王英
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