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5um线宽LED晶片最佳光刻条件探究

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作者: 邹贤军;廖颖钰

作者机构: 湘能华磊光电股份有限公司出版物刊名: 科学中国人年卷期: 2016年 第6Z期

主题词: LED;5um线宽;黄光;硬烤;显影;曝光;SEM

摘要:在外延结构已经确定的前提下,如何在芯片前工艺COW制备中提高亮度成为各芯片厂商最关注的话题,而制备反射电极、增加电流阻挡层、优化图形、缩短线宽则是提高COW亮度的常用方法。本文主要探究尺寸为457um*8um的芯片在制备5um线宽时黄光作业中的最佳光刻条件,实验表明硬烤110°/60秒,曝光能量90mj/cm2,显影时间90秒,胶厚2.85um,软烤105℃/120秒为最佳光刻条件。

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