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TP 61 PSilizium-FotoelementSilicon Photovoltaic Cell
TP 61 P
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
qSpeziell geeignet für Anwendungen imBereich von 400 nm bis 1120 nmqKathode = Chipunterseite
qMit feuchtigkeitsabweisender Schutzschichtüberzogen
qWeiter Temperaturbereich
Anwendungen
qfür Meβ-, Steuer- und Regelzweckeqzur Abtastung von Lichtimpulsen
qquantitative Lichtmessung im sichtbarenLicht- und nahen Infrarotbereich
Features
qEspecially suitable for applications from400 nm to 1120 nmqCathode = back contact
qCoated with a humidity-proof protectivelayer
qWide temperature range
Applications
qFor control and drive circuitsqLight pulse scanning
qQuantitative light measurements in thevisible light and near infrared range
TypTypeTP 61 PBestellnummerOrdering CodeQ62607-S61Semiconductor Group20410.95
fso06637元器件交易网www.cecb2b.com
TP 61 P
Grenzwerte
Maximum RatingsBezeichnungSymbolWertEinheitDescriptionSymbolValueUnitBetriebs- und LagertemperaturTop;Tstg– 55...+ 100°COperating and storage temperature rangeSperrspannungVR1VReverse voltageKennwerte(TA= 25°C, Normlicht A,T = 2856 K)
Characteristics(TA = 25°C, standard light A,T = 2856 K)BezeichnungSymbolWertEinheitDescriptionSymbolValueUnitFotoempfindlichkeit, VR= 0 VS1 (≥ 0.7)µA/IxSpectral sensitivityWellenlänge der max. FotoempfindlichkeitλS max900nmWavelength of max. sensitivitySpektraler Bereich der Fotoempfindlichkeitλ400...1120nmS = 10 % von SmaxSpectral range of sensitivityS = 10 % ofSmaxBestrahlungsempfindliche FlächeA1.3cm2Radiant sensitive areaForm der bestrahlungsempfindlichen FlächeSechseckShape of radiant sensitive areahexagonHalbwinkelϕ±60GradHalf angledeg.Dunkelstrom,VR = 1 VIR0.1 (≤ 2)µADark currentSpektrale Fotoempfindlichkeit,λ = 850 nmSSpectral sensitivityλ0.55A/WQuantenausbeute,λ = 850 nmη0.80ElectronsQuantum yieldPhotonLeerlaufspannung,Open-circuit voltageEv = 1000 IxVO450 (≥ 270)mVEe = 0.5 mW/cm2;λ = 850 nmVO430mVSemiconductor Group205
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TP 61 P
Kennwerte(TA= 25°C, Normlicht A,T = 2856 K)
Characteristics(TA = 25°C, standard light A,T = 2856 K)BezeichnungDescriptionKurzschluβstrom, Ev = 1000 IxShort-circuit currentEv = 1000 IxEe = 0.5 mW/cm2; λ = 850 nmAnstiegs und Abfallzeit des FotostromesRise and fall time of the photocurrentRL= 1 kΩ;VR= 1 V; λ = 850 nm;Ip = 50µATemperaturkoeffizient vonVOTemperature coefficient ofVOTemperaturkoeffizient vonISCTemperature coefficient ofISCKapazität,VR= 0 V,f= 1 MHz,Ev = 0 IxCapacitanceSymbolSymbolWertValueEinheitUnitISCISCtr,tf1 (≥ 0.7)38018mAµAµsTCVTCIC0– 2.60.1211mV/K%/KnFSemiconductor Group206
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Relative spectral sensitivityOpen-curcuit voltageVO=f (Ev)Srel=f (λ)Short-circuit currentISC=f (Ev)Dark currentIR=f (VR),E = 0
Directional characteristicsSrel=f (ϕ)Semiconductor Group207
TP 61 P
Capacitance
C=f (VR),f = 1 MHz,E = 0
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Semiconductor GroupTP 61 P
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