（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200610011115.6 （22）申请日 2006.01.06 （71）申请人 清华大学
地址 100084 北京市北京100084-82信箱
（10）申请公布号 CN1793043A （43）申请公布日 2006.06.28
（72）发明人 李建保;郭钢锋;杨晓战;林红;梁龙;何明生 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
C04B35/584; C04B35/622; C04B35/5;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种高性能热处理氮化硅陶瓷及其制备方法
（57）摘要
本发明涉及一种高性能热处理氮化硅陶瓷
及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明以氮化硅粉末和一定量的单一稀土氧化物添加剂为原料，混合均匀后成型，烧结使其致密化，再对其进行烧结后热处理。所述氮化硅陶瓷含有α相氮化硅粉末和单一稀土氧化物添加剂，所述α
相氮化硅粉末的重量百分比为80～95％，所述单一稀土氧化物添加剂的重量百分比为5～20％。这种材料在完全没有添加预制的β－Si
法律状态
法律状态公告日
2006-06-28 2006-08-23 2007-12-26
法律状态信息
公开
实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
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公开
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权利要求说明书
一种高性能热处理氮化硅陶瓷及其制备方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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