（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201210170092.9 （22）申请日 2012.05.29
（71）申请人 上海丽恒光微电子科技有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室
（10）申请公布号 CN102693988A
（43）申请公布日 2012.09.26
（72）发明人 王志玮;唐德明
（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 骆苏华
（51）Int.CI
H01L27/144; H01L31/18;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
光电二极管阵列及其形成方法
（57）摘要
一种光电二极管阵列及其形成方法，所述
光电二极管阵列位于具有互连层的基底上；所述光电二极管阵列位于所述互连层上，且每一光电二极管与所述互连层的对应位置电连接，相邻的光电二极管通过隔离结构相互绝缘。本技术方案将光电二极管阵列置于互连层上，而不是将光电二极管阵列和控制电路置于同一层，这样可以增
加光电二极管的填充比，使光电二极管的填充比不用受控制电路单元面积的约束。光电二极管由直接淀积在控制电路后端互连层上的多晶锗材料构成。多晶锗材料的淀积温度小于450度，与标准的CMOS集成电路后端工艺完全兼容。
法律状态
法律状态公告日
2012-09-26 2012-09-26 2012-11-21 2012-11-21 2014-12-31 2014-12-31 2016-04-20 2016-04-20 2020-05-19
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移
法律状态
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权 授权
专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移 专利申请权、专利权的转移
权利要求说明书
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说明书
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