多并苯和杂环多并苯材料研究进展

第３３卷第４期　南京邮电大学学报（自然科学版）　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｎａｎｊｉｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｐｏｓｔｓ　ａｎｄ　Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（Ｎａｔｕｒｌａ　Ｓｃｉｅｎｃｅ）　Ｖ０１．３３　Ｎｏ．４　Ａｕｇ．２０１３　２０１３年８月　多并苯和杂环多并苯材料研究进展　傅妮娜　，田　波　，黄红艳　，赵保敏　，黄　维　，　，１．南京邮电大学信息材料与纳米技术研究院，江苏南京２１００２３　、　、２．南京邮电大学有机电子与信息显示国家重点实验室培育基地，江苏南京２１００２３／　摘要：多并苯芳烃（ｐｏｌｙａｃｅｎｅｓ）是一类线性并芳香环碳氢化合物。多并苯化合物具有独特的线性１Ｔ电子离域特　性（１ｉｎｅａｒ　ｄｅｌｏｃａｌｉｚｅｄ叮ｒ－ｓｙｓｔｅｍ），是一类独特的有机半导体材料。多并苯材料由于其在有机电子学器件中的潜在应　用而受到广泛的关注和研究，多并苯化合物能够实现高度有序的分子堆积，因此，能够被应用于大规模功能器件　中。近２０年来，高性能多并苯类材料的合成及应用已取得显著进展，尤其在有机场效应晶体管（ＯＦＥＴｓ）应用领域，　多并苯类材料已发展成为ＯＦＥＴｓ的主要材料。文中综述了在ＯＦＥＴｓ中多并苯和杂环多并苯分子结构对材料电学　性能的影响，最后展望了多并苯和杂环多并苯的应用前景。　关键词：多并苯芳烃；有机场效应晶体管；有机半导体；迁移率；稳定性　中图分类号：０６２５．１５；０６２６；０６４９　文献标志码：Ａ　文章编号：１６７３－５４３９（２０１３）０４－０１０５．１０　Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｐｏｌｙａｃｅｎｅｓ　ａｎｄ　Ｈｅｔｅｒｏａｃｅｎｅｓ　ＦＵ　Ｎｉ－Ｈａ　，Ｔ　Ｎ　Ｂ０　，ＨＵＡＮＧ　Ｈｏｎｇ．ｙａｎ　ｒ，　ＺＨＡｏ　Ｂａｏ—ｒａｉｎ　ｒ．ＨＵＡＮＧ　Ｗｅｉ　，　，１－Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｎａｍｉｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｐｏｓｔｓ　ａｎｄ　Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｎａｎｊｉｎｇ　２１００２３，Ｃｈｉｎａ　，、　、２．Ｋｅｙ　Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ　ｆｏｒ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ＆Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙｓ，Ｎａｎｊｉｎｇ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ　ｏｆ　Ｐｏｓｔｓ　ａｎｄ　Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｎａｎｊｉｎｇ　２１００２３Ｃｈｉｎａ／　Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｐｏｌｙａｃｅｎｅ　ｉｓ　ａ　ｃｌａｓｓ　ｏｆ　ｌｉｎｅａｒ　ａｎｄ　ｐｏｌｙａｒｏｍａｔｉｃ　ｈｙｄｒｏｃａｒｂｏｎｓＰｏｌｙａｃｅｎｅｓ　ｈａｖｅ　ａｔｔｒａｃｔｅｄ　ｅｘｔｅｎ—　．ｓｉｖｅ　ａｔｔｅｎｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｓｔｕｄｙ　ｄｕｒｉｎｇ　ｔｈｅ　ｐａｓｔ　ｄｅｃａｄｅｓ，ｄｕｅ　ｔｏ　ｉｔｓ　ｕｎｉｑｕｅ　ｐｒｏｐｅｒｔｙ　ｏｆ　ｌｉｎｅａｒ　ｄｅｌｏｃａｌｉｚｅｄ　１Ｔ—ｓｖｓ．　ｔｅｒｎ．Ｔｈｅ　ｉｎｔｉｒｎｓｉｃ　ａｂｉｌｉｔｙ　ｔｏ　ａｌｉｇｎ　ａｎｄ　ｐａｔｔｅｒｎ　ｉｎｔｏ　ｈｉｇｈｌｙ　ｏｒｄｅｒｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ｐｈａｓｅ　ｉｓ　ａ　ｐｒｅｒｅｑｕｉｓｔｉｔｅ　ｆｏｒ　ｉｎ．　ｔｅｇｒａｔｉｎｇ　ｔｈｅｍ　ｉｎｔｏ　ｌａｒｇｅ—ｓｃａｌｅ　ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　ｄｅｖｉｃｅｓ．Ｒｅｃｅｎｔｌｙ，ｅｎｏｌＴｔｌＯＵＳ　ｅｆｆｏｒｔｓ　ｈａｖｅ　ｂｒｏｕｇｈｔ　ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ　ｐｒｏ—　ｇｒｅｓｓ　ｉｎ　ｔｈｅ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ｐｏｌｙａｃｅｎｉｃ　ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅｓｅ　ｐｏｌｙａｃｅｎｅｓ．Ｅｓｐｅｃｉｌｌａｙ，ｔｈｅ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ｐｏｌｙａｃｅｎｉｃ　ｍａｔｅｒｉｌｓａ　ｉｓ　ａｌｍｏｓｔ　ｔｈｅ　ｏｎｌｙ　ｄｒｉｖｉｎｇ　ｆｏｒｃｅ　ｆｏｒ　ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ（ＯＦＥＴｓ）．Ｈｅｒｅ，ｔｈｅ　ｒｅｖｉｅｗ　ｗｉｌｌ　ｆｏｃｕｓ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｐｏｌｙａｃｅｎｅｓ　ａｎｄ　ｈｅｔｅｒｏａｃｅｎｅｓ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｉｎ　ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ａｎｄ　ｄｅｖｉｃｅ　Ｄｅｒ．　ｆｏｒｍａｎｃｅｓ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｅ　ｐｒｏｓｐｅｃｔ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ｐｏｌｙａｃｅｎｅｓ　ａｎｄ　ｈｅｔｅｒｏａｃｅｎｅｓ　ｗａｓ　ｄｉｓｃｕｓｓｅｄＫｅｙ　ｗｏｒｄｓ：ｐｏｌｙａｃｅｎｅｓ；ＯＦＥＴｓ；ｏｒｇａｎｉｃ　８ｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔ０ｒ；ｍｏｂｉｌｉｔｙ；ｓｔｂｉａｌｉｔｙ　．　０　引　言　场效应晶体管（Ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ，ＦＥＴｓ）是　收稿日期：２０１２－０９—１７　现代微电子学的重要组成部分，它是基于自由载流　子向半导体中可控注入的有源器件，以其高速、低功　耗和集成度高等特点被广泛应用于现代电子技术领　基金项目：国家重点基础研究计划（９７３ｉ－￣１）（２００９ＣＢ９３０６００）、国际科技合作计划．重点国别和地区研发合作（ＢＺ２０１００４３）国家自然科学基　金（５１１７３０８１，５１１０３０７４，５１２０３０７７）、江苏省自然科学基金青年基金（ＢＫ２０１２４３８）和南京邮电大学引进人才科研启动基金　、（ＮＹ２１１０４８）资助项目　通讯作者：黄维电话：（０２５）８５８６６３９６　Ｅ．ｍａｉｌ：ｉａｍｗｈｕａｎｇ＠ｎｊｕｐｔ．ｅｄｕ．ｃｎ　赵保敏电话：（０２５）８５８６６３９６　Ｅ．ｍａｉｌ：ｉａｍｂｍｚｈａｏ＠ｎｊｕｐｔ．ｅｄｕ．ｃｎ　南京邮电大学学报（自然科学版）　域，在电子产业领域中占有举足轻重的地位。上世　纪７Ｏ年代以来，“导电聚合物”的出现，为人们研究　有机／聚合物半导体材料打开了一扇绚丽的窗户。　有机半导体材料除了表现出良好的半导体特性，最　显著区别于无机半导体材料的特性在于质量轻、低　成本、可溶液加工和结构可设计性强等＿ｌ　Ｊ。最近３０　年间，大量各类结构的有机小分子、聚合物以及有机　无机杂化材料取得长足的发展，并在许多领域逐步　替代各种传统无机半导体材料，例如，发光二极管、　太阳能电池、场效应晶体管和传感器等。　使用有机半导体材料作为传输层的场效应晶体　管称为有机场效应晶体管（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎ．　ｓｉｓｔｏｒｓ，ＯＦＥＴｓ）。通过不断的研究和创新，多并苯及　其衍生物逐渐进入人们的视野。这类半导体材料以　其高迁移率（已达到５　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　）、较大的共　轭度、较好的稳定性和可溶性等优点而受到广泛的　关注　Ｊ。此外，对寡聚噻吩和杂环多并苯　的研　究，发现它们不仅具有高的迁移率，且比多并苯更稳　定，具有更好的加工性能。本文主要从ＯＦＥＴｓ材料　的分子结构与相应器件性能两个方面来综述多并苯　和杂环多并苯类有机半导体材料的研究进展，包括　蒽及其衍生物、并四苯及其衍生物、并五苯及其衍生　物、其他杂环并苯系列衍生物等。　１蒽及其衍生物　蒽（Ａ１）（见图１）是最简单的并三苯类化合物，　它广泛存在于自然界中，具有较好的稳定性。蒽虽　然是线性稠环芳烃，可是由蒽制成的单晶器件在低　温下的载流子迁移率只有０．０２　ｃｍ　・Ｖ一・Ｓ～［ａ　Ｊ。　研究表明，这是蒽分子小、共轭度差、在晶体状态下　分子间的距离大造成的。因此，设计、合成共轭度较　大的蒽的衍生物，成为提高其器件稳定性和载流子　迁移率的必然途径。　众所周知，对于主链上苯环数目为奇数的稠环　分子，其中间的苯环活性较高，通过对中间苯环进行　修饰（氧化或取代），可提高分子的共轭度，增加材　料的稳定性。基于以上的理论，Ｐｆｌａｕｍ小组合成出　了９，ｌ０一二苯基蒽（Ａ２），用飞行时间法（ＴＯＦ）测定　发现，在室温下其单晶的电子迁移率达到１３　ｃｍ　・　Ｖ～・ｓ～，空穴迁移率也达到了３．７　ｃｍ　・Ｖ～・　ｓ　＿５］。稠环分子共轭度虽然可通过增加蒽“ｍｅｓｏ”　位上苯环个数来实现，并可获得更高的载流子迁移　率，但同时分子的最高占有分子轨道（Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕ－　ｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ，ＨＯＭＯ）能级也升高，这将降　低分子的稳定性。而通过共轭分子的寡聚不但可以　增大其共轭度，分子的ＨＯＭＯ能级升高也并不明　显，从而有效提高了分子的稳定性。化合物Ａ３和　Ａ４是基于蒽的寡聚物，在寡聚物的末端引入烷烃改　善了分子在聚集态时的堆积方式，从而改善材料的　器件性能。化合物Ａ３和Ａ４以ＳｉＯ　／Ｓｉ为基底，采　用真空蒸镀方法制成的薄膜器件在较高温度下的载　流子迁移率分别达到了０．１３　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ　和　０．１８　ｃｒｉ１　・Ｖ～・Ｓ　，这也从侧面证明了寡聚的　方法可获得更大的共轭度，并提高载流子迁移率。　３　ｃｍ。　Ａ１　Ａ３：ｎ＝２　Ａ４：ｎ＝３　、　．、　Ａ５：Ｒ　Ｈ　Ａ７　Ｃ６Ｈ　Ａ８　图１蒽及其衍生物　双键和三键的存在是共轭产生的主要原因，研　究发现引入烯键和炔键可以增加分子的共轭度，提　高分子的稳定性，并使分子固态堆积更为紧密。化　合物Ａ５以十八烷基三氯硅烷（ＯＴＳ）为基底修饰剂，　采用真空沉积制得的器件的载流子迁移率达到了　１．３　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　Ｊ。化合物Ａ６的单晶载流子迁　移率为１．２８　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　＿８　Ｊ。它们的ＨＯＭＯ能　级均低于经典ＯＦＥＴｓ材料——并五苯，分子也比并　五苯更稳定。其中，化合物Ａ６由于具有长烷基链，　所以排列更加紧密。由于炔键的引人，化合物Ａ７　的平面堆积与Ａ２相比更为紧密，共轭平面上取代　基与分子核心距离更近，共轭度更大，排列更为有　序。化合物Ａ７以ＯＴＳ为基底，修饰剂采用二氯甲　烷为溶剂，通过滴涂法制得的薄膜器件迁移率为　０．７３　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　］，而化合物Ａ２在四氢呋喃　中沉积出纳米棒，然后用纳米棒制成的器件的载流　子迁移率为０．１６　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　。这也说明了　分子排列的有序度和共轭度对载流子迁移率有直接　的影响。　第４期　傅妮娜等：多并苯和杂环多并苯材料研究进展　噻吩基团具有电子给体特性，同时提供两个共　轭双键，所以它经常作为一个富电子基团引入到Ｐ　型材料的骨架中。化合物Ａ８以蒽为内核，噻吩为　端基，通过蒸镀法制成的薄膜器件的载流子迁移率　达到了０．５　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ一　¨　。　２并四苯及其衍生物　与蒽相比，并四苯（Ｂ１）（见图２）主链上的苯环　个数增多，共轭度增大，因此由并四苯类化合物制成　的器件的载流子迁移率更高。若能引入合适的取代　基提高共轭度，则可能使并四苯衍生物成为很有潜　力的场效应晶体管材料　。以并四苯为活性层的　有机薄膜和单晶场效应晶体管的载流子迁移率达到　了０．１　ｃｍ　．Ｖ～・Ｓ一　［　和１．３　ｃｍ。・Ｖ～・　ｓ　［１　。Ｋｏｂａｙａｓｈｉ小组ｎ　在２０１　１年合成了用硫醚　取代的并四苯衍生物Ｂ２和Ｂ３，它们的ＨＯＭＯ能级　均为一５．３３　ｅＶ，比并四苯低０．１３　ｅＶ，能隙也比并四　苯低０．１　ｅＶ，这说明化合物Ｂ２和Ｂ３共轭度更大，　更加稳定。同时也证明了引入合适的取代基团可提　高分子的稳定性。对化合物Ｂ２和Ｂ３的固态堆积　研究表明，Ｂ２共轭平面上的Ｓ—ｓ和Ｓ一竹的相互作　用，使分子固态下成“面对面”堆积，而化合物Ｂ３仅　仅具有ｓ—ｓ的相互作用，在固态下成鱼骨状排布。　由于固态堆积的差异，化合物Ｂ２采用三氯苯做溶　剂，通过旋涂法制得的器件的迁移率达到了０．０４　ｅｍ　・Ｖ～・Ｓ～，而Ｂ３在固态下分子间距太大则没　有观察到场效应现象。　Ｓ／　，，ｓ　Ｂ４　Ｂ５　图２并四苯及其衍生物　许多科研小组致力于卤素取代的并四苯的研　究，其中Ｍｏｏｎ小组就是代表之一。他们合成了化　合物Ｂ４、Ｂ５和Ｂ６等一系列卤素取代的并四苯衍生　物（见图２），其中，Ｂ４和Ｂ５的固态堆积形貌兼有　“鱼骨状”和“面对面”，而Ｂ６是二氯取代，它的堆积　方式为“面对面”。对比并四苯的完全“鱼骨状”分　子排布，可以发现，引入卤素原子可以使分子单晶堆　积形态由并四苯的“鱼骨状”向平面盯堆积转变。　由Ｂ６单晶制备的器件的迁移率达到１．６　ｃｍ　・Ｖ　・ｓ　ｌ１　，而Ｂ４和Ｂ５的单晶迁移率均仅仅只有　１０　ｃｍ。・Ｖ～・ｓ　【１　，这也反映了分子在固相中　的堆积排列方式与迁移率有着密切的关系。　在并四苯家族中最有代表性的是红荧烯（Ｂ７），　它以并四苯为主体，对四个苯环侧位进行修饰，与并　四苯相比，材料性能有了显著的提升。Ｓｕｎｄａｒ等以　聚二甲基硅氧烷为基底，制备得到红荧烯单晶器件，　对单晶各个晶向的迁移率进行测量，结果显示，红荧　烯单晶在ｂ轴方向的迁移率最高，达到１５．４　ｃｍ　・　Ｖ～・ｓ　【１８］。对红荧烯的单晶进行ＸＲＤ分析，发　现侧位取代的四个苯环在晶体中与相邻的红荧烯分　子的主体相邻，相互作用紧密，不仅拉近了分子间的　距离，而且大大增加了分子间１Ｔ轨道的重叠，而且ｂ　轴的方向就是在晶态下订轨道组成的通道方向。　Ｈａａｓ等人在红荧烯上引入叔丁基，合成了化合物　Ｂ８，改善了化合物的溶解性。Ｂ８固态下的分子堆积　有两种形态，其中一种形态与红荧烯类似，单晶载流　子迁移率达到了１２　ｃｍ　・Ｖ。。・Ｓ～，另一种形态由　于分子间距离较大，导致其失去场效应特性。虽然　叔丁基的引入改善了溶解性，但是由于叔丁基本身　的立体结构导致分子排列的间隙增大，从而降低订　共轭，所以其迁移率较红荧烯低。　Ｍｅｒｌｏ等用噻吩基团连接两个并四苯，合成了化　合物Ｂ９，并以此化合物为活性层，采用蒸镀法制备　了薄膜器件，其迁移率为０．５　ｃｍ。・Ｖ～・Ｓ　＿１　。　３并五苯及其衍生物　多并苯芳烃在有机场效应晶体管中的应用和研　究最为广泛和深入，最具代表性的是并五苯（ｃ１）。　并五苯以其在ＯＦＥＴｓ器件中超高的迁移率，成为这　类材料的一个基准化合物。并五苯的ＨＯＭＯ能级为　一５．１４　ｅＶ，与金的功焓匹配，能隙Ｅ　为１．７７　ｅＶ。并　五苯分子长轴上的苯环个数较之并四苯更多，共轭度　更大，其载流子迁移率比并四苯更高，但并五苯的溶　解性比并四苯差。研究发现，以并五苯为有机半导体　层的单晶场效应晶体管载流子迁移率高达４０　ｅｍ　・　Ｖ～・Ｓ～。另一方面，有机半导体分子间排列的紧密　１０８　南京邮电大学学报（自然科学版）　２０１３年　程度和盯共轭堆积方式会影响其稳定性　Ｊ，对并五　苯单晶结构进行研究，发现并五苯晶体有着“鱼骨　状”的分子排布（见图３）　，不利于１ｒ共轭的堆积。　ｓ　。化合物Ｃ４以ＳｉＯ：为基底蒸镀制得的器件　。　的迁移率达到０．３１　ｃｍ　・Ｖ。。・ｓ　中间苯环本身具有较高的反应活性，易被氧加成，同　样容易产生双分子偶联，因此其器件稳定性比并四苯　差。人们希望对并五苯进行结构修饰，改变分子排布　Ｃ１　Ｃ２　Ｒ　方式，提高分子稳定性，增大其共轭度。　Ｃ４：Ｒ＝Ｒ　＝ＣＨ　Ｒ　书砷　Ｒ　Ｒ　图３并五苯单晶分子排列示意图＿２　为了提高并五苯的性能，２０１１年Ｙａｎｇ等把二　噻吩并蒽（ＡＤＴ）掺杂到并五苯中，并制成不同掺杂　浓度的器件。当ＡＤＴ的掺杂浓度在１０％以下时，混　合有机层仍然表现出单一相、高晶度，并且在空气中　比并五苯更加稳定。对比不同掺杂浓度的器件，发　现ＡＤＴ掺杂浓度为１０％时陡能最优，一　其通过真空蒸　镀的方法制得的器件迁移率达到了０．３７　ｃｍ　・Ｖ　・Ｓ一，开关比高达１０　，且其稳定性是并五苯的３　倍，对器件在开和关两种状态下循环扫描９４０次，器　件的迁移率仅仅下降到０．３３　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ～。而在　相同条件下对无掺杂的并五苯器件进行循环扫描，◇　　器件的迁移率从０．４６　ｃｍ。・Ｖ～・Ｓ　降低到０．２２　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ～。在空气中放置３个月后掺杂１０％　ＡＤＴ的器件，其迁移为０．１　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ～，但是无　掺杂的器件则失去场效应特性　。这些研究结果　说明，对并五苯采取适当的掺杂，可以提高其稳　定性。　前文提到主链上的苯环数目为奇数的线性稠环　分子不稳定，中间苯环比较活泼，易于氧化或取代。　基于这种特性，Ｍｉａｏ等合成了侧位取代的化合物ｃ２　（见图４），以化合物ｃ２为半导体层，通过蒸镀方法　制得的薄膜器件迁移率为０．１　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　。　Ｗｕｄｌ和Ｂａｏ等的研究表明，在并五苯分子的末　端上引人烷基可以改变并五苯的ＨＯＭＯ和最低空　轨道（Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ，ＬＵＭＯ）　能级，而不影响它们之间的带隙　。Ｋｅｌｌｅｙ根据这　种特性合成了化合物ｃ３，Ｃ３以烷基膦酸为衬底，蒸　镀制得的薄膜器件的迁移率达到２．５　ｃｍ　・Ｖ～・　Ｃ６：Ｒ＝Ｍｅ　Ｃ７：Ｒ＝ｔ—Ｂｕ　Ｃ８：Ｒ＝ＳｉＭｅ３　ＣＩ２：Ｒ＝ＳｉＥｔ３　Ｃ９：Ｒ＝ＳｉＭｅ２ｔ－Ｂｕ　Ｃ１３：Ｒ＝Ｓｉ（ｉ—Ｐｒ１３　ＣＩＯ：Ｒ＝Ｓｉ（ｉ—Ｐｒ）３　Ｃｌ１：Ｒ＝ＳｉＰｈ３　Ｆ　Ｆ　Ｆ　Ｆ　Ｓｉ　ｉ—Ｐｒ３　Ｓｉ　ｉ—Ｐｒ３　Ｃ５Ｈ　Ｃ１４　Ｃｌ５　Ｃ１６　图４并五苯及其衍生物　Ａｎｔｈｏｎｙ等　在２００１年合成了６种并五苯衍　生物ｃ６一ｃｌｌ，这些化合物的溶解性与并五苯相比　有了很大的改善。化合物Ｃ６由于取代基团太小，　不稳定易分解。由于炔键的引入，化合物ｃ９的共　轭大于并五苯。化合物Ｃ１０的取代基团大于７Ａ　（两倍的并五苯的间距），固态下没有场效应特性。　化合物Ｃ１１由于取代基团过大而不稳定。在这几　个化合物中，化合物ｃ９比较特殊，它的取代基团呈　椭圆型，从而导致竹堆积呈椭圆状，共轭度较大。　Ａｎｔｈｏｎｙ等人受到化合物Ｃ９特殊的分子结构启迪，　设计出了分子Ｃ１２。化合物Ｃ７一Ｃ９和Ｃ１２都比并　五苯在晶体形态下有着更高的载流子迁移率，更好　的稳定性和可溶性，可惜的是它们的成膜性都很差，　制成薄膜器件都有一定难度　。　化合物ＣＩＯ和Ｃ１３具有相同的取代基和相同　的主链结构，唯一的差别是取代基的位置不同。对　化合物Ｃ１０和Ｃ１３进行电阻率测量，发现化合物　Ｃ１０的最小电阻率为２．５×１０。Ｑ・ｃｍ，而化合物　Ｃ１３的最小电阻率为８×１０　Ｑ・ｃｍ。导致化合物　Ｃ１０和Ｃ１３的最小电阻率不同的原因，是晶体采取　的排列方式不同。但是无论化合物Ｃ１０还是化合　物Ｃ１３，其电阻率都比并五苯要小¨　。　Ａｎｔｈｏｎｙ等［２　在器件中加人ＯＴＳ基底修饰剂，　第４期　傅妮娜等：多并苯和杂环多并苯材料研究进展　１０９　通过蒸镀方法制备了基于化合物Ｃ１０的薄膜器件　并测试了器件性能，其器件的迁移率达到０．４　ＣｌＴＩ　・　Ｖ。。・Ｓ～。Ｏｎｇ等＿２引在２００７年合成化合物Ｃ１４，其　中苯基的引入加大了分子的共轭度，使分子在固态　下的有序度更高，采用氯苯作为溶剂，通过旋涂制得　的器件的迁移率高达０．５２　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ～。而且戊　基的引入还改善了溶解性，使化合物Ｃ１４能溶于普　通的有机溶剂中，简化了器件的制备工艺。　引入适当取代基可以改善并五苯的溶解性，改　变分子堆积形态，提高稳定性，优化ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ　能级。例如在并五苯中引入四甲基降低了ＨＯＭＯ　能级，改善了电荷注入特性　。卤代并五苯可以降　低ＬＵＭＯ能级，近年来人们试图在并五苯的末端引　入卤素来增大叮ｒ共轭，增加分子堆积有序度　，又　由于卤素活性较高，可以通过卤素基团与其它基团　反应，引入其他取代基。化合物Ｃ５、Ｃ１５和Ｃ１６主　链上引人了吸电子的Ｆ原子，其中Ｃ１５和Ｃ１６有着　类似的“面对面”排列方式；而ｃ５的排列方式与并　五苯类似，都是“鱼骨状”排列。由Ｃ５、Ｃ１５和Ｃ１６　通过蒸镀制成的器件的电子迁移率分别为０．１　１　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ～、０．０１４　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ　和０．０４５　ｃｍ　・　Ｖ一・Ｓ一，可以看出随着Ｆ原子个数的增加，电子迁　移率增大　卜　Ｊ，在相同的条件下并五苯的空穴迁移　率为０．４５　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ～。以并五苯和化合物ｃ５　为活性层可以制成具有ｐ－ｎ结的器件，在制作器件　的过程中，并五苯和ｃ５在有机层的排列方式的不　同会导致迁移率的巨大差异。若在ｃ５上蒸镀并五　苯，器件空穴迁移率为０．０３５　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ～，电子　迁移率为０．０２４　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ～，然而在并五苯上蒸　镀化合物ｃ５，空穴和电子迁移率分别是０．５２　ｃｍ　・　Ｖ一・Ｓ　和０．０２２　ＯＩＴＩ　・Ｖ～・Ｓ～，造成差异的原因　是界面分子排列不同　。　４含硫原子的杂环并苯及其衍生物　在杂环并苯体系中，含噻吩多环体系是一类重　要分支，也是有机场效应晶体材料的“未来之星”。　噻吩基团具有富电子特性，而且有两个共轭双键，可　以形成离域大竹共轭结构，因此噻吩基团常用于Ｐ　型材料中。在稠环分子中引入硫原子，通过范德华　力、订共轭层相互作用和硫一硫弱作用的改变来增强　分子间相互作用，使固态下的分子排列更加紧密，从　而获得高迁移率的ＯＦＥＴｓ器件。用噻吩取代线性　稠环中的苯环不但可以有效地降低材料的ＨＯＭＯ　能级，使之更加稳定，而且能级间距还会显著地增　大，因此受到越来越多的科研人员的关注　。　早在１９９８年，Ｇａｍｉｅｒ等人就合成了化合物Ｄ１　（见图５），在固态下采取面对面的堆积方式，通过蒸　镀制得的器件迁移率达到０．０５　ｃｍ　・Ｖ一・Ｓ～，开　关比高达１０８　－３５］。化合物Ｄ２和Ｄ４具有类似的　分子排列方式，由于苯环的引入，Ｄ２比Ｄ４有更大　的共轭度和更紧密的堆积方式，它们采用蒸镀方法　制得的薄膜器件迁移率分别为０．４２　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ　和０．１４　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ　［　Ｉ３　。然而化合物Ｄ３由　于引入了联苯，造成了固态堆积，使分子与分子间的　距离增大，迁移率低于Ｄ２和Ｄ４，Ｄ３蒸镀制得的薄　膜器件迁移率仅为０．１２　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　［３引。化合　物Ｄ５和Ｄ２、Ｄ３、１９４有着相同的母体结构，可是二　联噻吩的引入破坏了分子堆积的有序度，其采用蒸　镀法制得的薄膜器件迁移率仅为０．０２　ｃｍ　・Ｖ～・　Ｓ　＿３　，远低于化合物Ｄ４。化合物Ｄ６和Ｄ７都在分　子中引入了烯键，提高了分子的共轭度。它们通过　真空蒸镀方法制得的薄膜器件迁移率分别为０．８９　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　和２．０　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　［柏。。化合　物Ｄ７引入的取代基为苯环，分子共轭度更大，所以　分子迁移率更高。　Ｋａｔｚ等合成了与Ｄ１分子结构类似的化合物　Ｄ８，仅仅是把中间的噻吩换成了苯环，但这并没改　善其性能，Ｄ８通过蒸镀制得的薄膜器件迁移率只有　０．０４　ｅｍ。・Ｖ～・Ｓ　川，略低于Ｄ１。化合物Ｄ９和　Ｄ１０都以二噻吩并苯为核心，但是苯环和乙炔苯的　引人增大了共轭，在共轭平面中，取代基团离核心更　近，改善了分子堆积的有序度，它们通过真空蒸镀的　方法制得的薄膜器件的迁移率分别为０．０８１　ｃｍ　・　Ｖ。。・ｓ　［４２３和１．１７　ｃｍ　・Ｖ一・ｓ～［４３　３，高于化合　物Ｄ１。对比Ｄ１０和Ｄ９，它们的迁移率的数值几乎　差了两个数量级，由此可见，炔键的引入对分子迁移　率提高有着显著的作用。化合物Ｄ１　１与化合物Ｄ１　和Ｄ８类似，但是由于并苯的存在，Ｄ１１的迁移率远　远高于Ｄ１和Ｄ８，通过真空蒸镀的方法制成的器件　的迁移率达到了０．６７　ｃｍ　・Ｖ一・Ｓ～［４４　３。　化合物Ｄ１２、Ｄ１３和Ｄ１４是以并四噻吩为核心，　Ｄ１２分子排列成“鱼骨状”，苯环的引入对Ｄ１２分子　排列影响最小；而联苯和并苯的引入，增加了分子排　列的无序度，所以在固态下化合物Ｄ１２比Ｄ１３和　Ｄ１４具有更规律的分子排布，它们通过真空蒸镀制　得的薄膜器件迁移率分别为０．１４　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ～、　０．１　ｅｍ　．Ｖ。。．ｓ一　和０．０９　ｃｍ　．Ｖ～．ｓ～［４５　３　ｌ１０　南京邮电大学学报（自然科学版）　Ｔａｋｉｍｉｙａ小组合成了化合物Ｄ１５。该化合物的ＨＯ—　ＭＯ能级为一５．６　ｅＶ，比并五苯的低０．４６　ｅＶ。化合　物Ｄ１５相当稳定，在空气中放置２５０天也不会变　质。Ｄ１５以ＯＴＳ为基底修饰剂，通过真空蒸镀制成　的薄膜器件迁移率达到了２．０　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ～，开关　比高达１０　卅］。化合物Ｄ１６和Ｄ１７与Ｄ１５具有　相同的核心，烷基的引入改善了分子溶解性，而且对　分子排列影响较小，所以Ｄ１６和Ｄ１７有着更高的薄　膜迁移率，Ｄ１６和Ｄ１７采用氯仿作为溶剂，通过旋　涂法制得的器件迁移率分别为３．９　ｃｍ。・Ｖ～・ｓ　和２．７５　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ～［４８－４９］。化合物Ｄ１８和并四　苯比较类似，不同之处在于并四苯末端苯环替换为　噻吩，噻吩的引入使化合物Ｄ１８比并四苯稳定，由　于Ｓ－Ｓ的相互作用，化合物Ｄ１８排列更为紧密，但由　于导电界面上的缺陷，使其真空蒸镀制成的薄膜器　件迁移率仅为０．１５　ｃｍ。・Ｖ～・ｓ～，仅略高于并四　苯（０．１　ｃｍ　－Ｖ～・ｓ　）　。　。　静　Ｒ｛－　　ｍ　Ｄ６：Ｒ＝Ｉ　。Ｈ　Ｒ　Ｒ秘Ｒ　Ｄ８　Ｒ＿｛　ＤＩ　１　Ａ蚺　婵Ｒ　１２：Ａ　｛ｆ　Ｏ　Ｄ１５：。　Ｒ　。。　Ｄ１４：　【∞Ｄ１７：ｔｃ１　瞄Ｒ　Ｄ￣Ｏ．Ｒ　Ｄ２０　Ｒ　Ｈ　．＝Ｈ。　一　～　ＳｉＰｒ３　ＳｉＥｂ　Ｑ嬲Ｑ　　ｌ９　Ｓｉ（ｉ－Ｐｒ）３　Ｄ３Ｏ　ｃ　图５含硫的多并芳环化合物　并五噻吩（Ｄ１９）与并五苯结构类似，它比并五　苯稳定，其ＨＯＭＯ能级比并五苯低０．１９　ｅＶ，能隙高　１．５２　ｅＶ。并五噻吩（Ｄ１９）通过真空蒸镀法制得的　薄膜器件迁移率达到０．０４５　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　［５　。化　合物Ｄ２０和并五苯也有类似的结构，它的ＨＯＭＯ能　级为一５．１９　ｅＶ，比并五苯（一５．１４　ｅＶ）略低，通过蒸　镀法制得的薄膜器件迁移率达到０．４７　ｃｍ　・Ｖ～・　ｓ　＿５　，与并五苯（０．５　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ　）相差不多，　由此可见，噻吩基团的引入可以提高分子的稳定性。　化合物Ｄ２１是化合物Ｄ２０的溴代衍生物，在噻吩的　位引入卤素原子，提高了材料的迁移率，其通过蒸　镀法制得的薄膜器件迁移率达到０．７９　ｃｍ　・Ｖ。。・　ｓ　。化合物Ｄ２２和Ｄ２３也都是线性稠杂环化合　物，它们的稳定性都比并五苯高，化合物Ｄ２２和Ｄ２３　是一对同分异构体，但它们的晶体结构截然不同。　化合物Ｄ２２的晶体结构是“鱼骨状”，而化合物Ｄ２３　分子堆积呈柱状，共轭度较大。化合物Ｄ２２单晶器　件迁移率为１．８　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ～，它通过蒸镀法制得　的薄膜器件的迁移率也达到了０．５１　ｃｍ　・Ｖ～・　Ｓ　＿５　。Ｄ２３的单晶器件迁移率为０．６　ｃｍ。・Ｖ～・　ｓ　引。化合物Ｄ２４与并五苯结构类似，其通过真　空蒸镀法制得的薄膜器件迁移率达到０．４１　ｃｍ。・　Ｖ＿。・ｓ一　［　。　烷基硅炔被引入化合物Ｄ２５的短轴方向，用于　调节分子固态堆积方式，Ｄ２５在固态下以“面对面”　的方式排列，形成二维层状堆积，其通过蒸镀得到的　薄膜器件的迁移率高达１．２５　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ～。化合　物Ｄ２６和Ｄ２７同样引入了烷基硅炔，固态下成二维　层状堆积，其中Ｄ２７是Ｄ２６的氟代物，由于Ｄ２７具　有很强的　一百、Ｆ—Ｆ和Ｆ．ｓ的相互作用，化合物Ｄ２７　在固态下的排列更为紧密，具有更高的薄膜迁移率。　Ｄ２６和Ｄ２７采用氯苯作为溶剂，通过旋涂法制得的　薄膜器件的迁移率分别为１．０　ｃｍ　・Ｖ。。・Ｓ。和　１．５　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ～［５７－５９］。化合物Ｄ２８是在Ｄ２５基　础上引入Ｆ原子，迁移率也有所改善，通过真空蒸　镀制得的薄膜器件的迁移率达到０．２７４　ｃｍ　・Ｖ　・Ｓ　Ｊ。化合物Ｄ２９和化合物Ｄ３０中引入了大量　的Ｆ原子，固态下成二维层状堆积，其中Ｄ３０在末　端噻吩的　位引入Ｆ原子，所以迁移率比Ｄ２９有很　大的提高，Ｄ２９和Ｄ３０采用真空蒸镀方法制得的薄　膜器件的空穴迁移率分别为０．１１３　ｃｉｎ　・Ｖ～・ｓ　和０．２９３　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ。。［６ｏ－６ａ］。采用噻吩封端的化　合物Ｄ３１和Ｄ３２通过蒸镀制得的器件的迁移率分　别是０．０９　ＣＩＴＩ　・Ｖ一・Ｓ　和０．１７　ｃｍ　・Ｖ～・　第４期　傅妮娜等：多并苯和杂环多并苯材料研究进展　ｓ　＿６　。对比可以看出，在末端噻吩上的　位引入　烷基可以提高载流子迁移率。随着合成方法的不断　改进，人们也合成了一些七元硫杂环化合物。化合　物Ｄ３３是并五噻吩两端各并一个苯环形成的七元　杂环并苯化合物，其单晶迁移率为０．５　ｃｍ　・Ｖ一・　ｓ　＿６　。化合物Ｄ３４是噻吩与苯环相间的结构，其　采用蒸镀法制得的薄膜器件的迁移率为０．１５　ｃｍ　・　Ｖ～・ｓ一　［　。　化合物Ｄ３５、Ｄ３６和Ｄ３７在分子中心引入了两　个噻吩，这样不仅稳定了分子，而且提高了分子共　轭。化合物Ｄ３５呈现“鱼骨状”的固态堆积，通过真　空蒸镀制得的薄膜器件的迁移率达到了３．０　ｃｍ　・　Ｖ～・ｓ　ｊ。化合物Ｄ３６是在Ｄ３５的基础上引入　了烷基链，通过范德瓦尔斯力相互作用使分子在固　态下排列更加有序。化合物Ｄ３６以ＯＤＴＳ（ｏｃｔａｄｅ—　ｃｙｌ—ｔｒｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ）为基底修饰剂，采用真空沉积制　得的薄膜器件的载流子迁移率达到了７．９　ｃｍ　・　叭　Ｖ～・ｓ　］。化合物Ｄ３７比化合物Ｄ３５有更大的　共轭，但是化合物Ｄ３７以ＯＤＴＳ为基底修饰剂，通过　蒸镀方法制得的薄膜器件最大迁移率同样为　３．０　ｃｍ　．Ｖ～．ｓ一　［　５含有氮原子杂环并苯及其衍生物　含氮原子的线性稠杂环分子在固态下氮原子问　的相互作用没有硫原子强，相比之下氮原子的引入　对并苯性能的改善不如硫原子，但是氮原子的引入　也加强了分子间的相互作用力，同时，氮原子上可引　入适当的烷基链，改善分子的溶解性，同样含氮原子　的稠杂环分子的稳定性也相应的有所提高。《一￥　　　化合物Ｅ１（见图６）的堆积方式与并五苯类似，　都是“鱼骨状”。Ｅ１通过真空蒸镀法制得的薄膜器　件迁移率为０．４５　Ｃｌｌｌ　・Ｖ一・ｓ　ｌ６引，和并五苯相似　（０．５　ｅｌｎ　・Ｖ～・ｓ　）。氮原子的引入对分子排列　方式影响不大，因而并没有提高材料的迁移率。化　合物Ｅ２也是一种五元杂环并苯，比化合物Ｅ１多了　一个氮杂环，但由于Ｅ２成膜有序度很差，在薄膜状　态下呈无定型态，所以Ｅ２的薄膜迁移率比Ｅ１低了　很多，通过真空蒸镀的方法制得的器件的迁移率只　有０．０２　ｅｍ　・Ｖ～・ｓ　＿６９　Ｊ。将硅炔基团引入到含　氮的杂环并苯化合物中，同样具有改善溶解性、调节　分子排列方式的作用。对化合物Ｅ３和Ｅ４晶体分　析表明，Ｅ３和Ｅ４在固态下采取“面对面”的二维１Ｔ　堆积，它们采用真空蒸镀的方法制得的器件的迁移　率分别为０．０７　ｃｍ　・Ｖ～・Ｓ　和０．０５　ｃｍ　・Ｖ～・　ｓ一［７０ｊ。化合物Ｅ５的核心为吲哚咔唑，是含氮并五　环的一种，Ｅ５与吲哚咔唑相比共轭更大，通过真空　蒸镀得到的薄膜器件的迁移率ｒＥＰｅｌ哚咔唑（０．１　ｃｍ　．Ｖ一・ｓ－１［７１　）高，达到０．２　ｃｍ　・Ｖ～・ｓ。［　】。　化合物Ｅ６是含氮并七环化合物的一种，分子具有　液晶特性，分子单晶各向异性，沿Ｃ轴方向具有滑　移　堆积方式，在此方向的单晶迁移率达到了　１．０　ｃｍ　．Ｖ～．ｓ一　［’　《　抒　图６含氮的的多并芳环化合物　６结束语　纵观并苯多烯类材料可以看出，对并四苯、并五　苯和含硫的杂环并苯的研究较多，这主要是因为并　四苯、并五苯等高级并苯在固态下具有很好的有序　度和很高的迁移率，而含硫的杂环并苯可供研究的　种类繁多，同时有着很好的稳定性和良好的载流子　迁移率。对主链上的苯环数目大于５的并苯和杂环　并苯研究较少，虽然这些高级并苯共轭度很大，但是　它们的溶解性、稳定性或者成膜性较差，很难制作成　器件，例如并七苯衍生物（Ｆ１）＂引、并九苯衍生物　（Ｆ２一Ｆ３）　钊和含氮并十六环衍生物（１７４）　７７］（见　图７）。虽然并苯多烯类材料因其优点受到了广泛　的研究，但是仍然存在着以下几个问题：首先，材料　的稳定性还有待进一步提高；其次，大面积溶液法工　艺还不是很完善；再次，材料的载流子迁移率距离无　机半导体还有显著的差异；最后，制作ＯＦＥＴｓ的电　极材料成本有待降低。为了解决这些问题，一方面　可以通过改变材料本身的分子结构，合成一系列稳　定性好、迁移率高的材料；另一方面可以提高器件制　作工艺，开发出更多的单晶器件以提高场效应特性。　总的来说，有机电子学本身既代表一门新兴的　科学，也是一门新兴的技术。将有机半导体材料应　用于ＯＦＥＴｓ的研究，从本质上将具有理论研究和实　ｌ１２　南京邮电大学学报（自然科学版）　２０１３正　际应用两方面的价值和意义。虽然并苯多烯类材料　有着少许的不足，但是经过人们的不懈努力，并苯多　烯类材料的发展已经形成一定的规模，相信在不久　的将来，ＯＦＥＴｓ一定会大规模产业化。　Ｆ２：Ｒ：Ｓ＜卜　Ｆ３：Ｒ＝Ｓ　Ｒ　Ｒ　Ｒ　Ｒ　Ｆ４：Ｒ＝ｔ－ｂｕｔｙｌ，Ｒ１＝ＯＣ１ｏＨ２ｌ　图７其他高级并苯和杂环并苯　参考文献：　［１］ＣＨＥＮＧ　Ｙ　Ｃ，ＳＩＬＢＥＹ　Ｒ　Ｊ，ＤＡ　ＳＩＬＶＡ　Ｆ　Ｄ　Ａ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｒｅｅ—ｄｉｍｅｎ　ｓｉｏｎａｌ　ｂａｎｄ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ａｎｄ　ｂａｎｄｌｉｋｅ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｉｎ　ｏｌｉｇｏａｃｅｎｅ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃ￣ｓｔＭｓ：Ａ　ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ　ｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｊ　Ｃｈｅｍ　Ｐｈｙｓ，２００３，１１８　（８）：３７６４—３７７４．　［２］ＳＨＥＡＴＳ　Ｊ　Ｒ．Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　ａｎｄ　ｃｏｍｍｅｒｃｉａｌｉｚａｔｉｏｎ　ｉｓｓｕｅｓ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｒｅｓ，２００４，１９（７）：１９７４—１９８９．　［３］ＫＷＯＮ　０，ＣＯＲＯＰＣＥＡＮＵ　Ｖ，ＧＲＵＨＮ　Ｎ　Ｅ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｍｏｌｅｃｕｌｒａ　ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ　ｄｅｔｅｒｍｉｎｉｎｇ　ｃｈａｒｇｅ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｉｎ　ａｎｔｈｒａ—　ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ［Ｊ］．Ｊ　Ｃｈｅｍ　Ｐｈｙｓ，２００４，１２０（１７）：８１８６—８１９４．　［４］ＡＬＥＳＨＩＮ　Ａ　Ｎ，ＬＥＥ　Ｊ　Ｙ，ＣＨＵ　Ｓ　Ｗ，ｅｔ　ａ１．Ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｓｔｕｄｉｅｓ　ｏｆｆｉｅｌｄ—　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌｓ［Ｊ］．　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００４，８４（２６）：５３８３—５３８５．　［５］ＴＲＩＰＡＴＨＩ　Ａ　Ｋ，ＨＥＩＮＲＩＣＨ　Ｍ，ＳＩＥＧＲＩＳＴ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ｇｒｏｗｔｈ　ａｎｄ　ｅ—　ｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｉｎ　９，１０一ｄｉｐｈｅｎｙｌｎａｔｈｒａｃｅｎｅ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌｓ－－Ａｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｏｆ　ｈｉｇｈ　ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ａｎｄ　ｈｏｌｅ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２００７，１９（１６）：２０９７—２１０１．　［６］ＩＴＯ　Ｋ，ＳＵＺＵＫＩ　Ｔ，ＳＡＫＡＭＯＴＯ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｏｌｉｇｏ（２，６－ａｎｔｈｒｙｌｅｎｅ）ｓ：　Ａｃｅｎｅ—ｏｌｉｇｏｍｅｒ　ａｐｐｒｏａｃｈ　ｆｏｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｎ—　ｇｅｗ　Ｃｈｅｍ　Ｉｎｔ　Ｅｄ，２００３，４２（１０）：１１５９—１１６２．　［７］ＫＬＡＵＫ　Ｈ，ＺＳＣＨＩＥＳＣＨＡＮＧ　Ｕ，ＷＥＩＴＺ　Ｒ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ｏｒｇａｎｉｃ　ｔｒａｎ－　ｓｉｓｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｄｉ（ｐｈｅｎｙｌｖｉｎｙ１）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ：Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ａｎｄ　ｓｔａｂｉｌ—　ｉｔｙ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２００７，１９（２２）：３８８２—３８８７．　［８］ＭＥＮＧ　Ｈ，ＳＵＮ　Ｆ　Ｐ，ＧＯＬＤＦＩＮＧＥＲ　Ｍ　Ｂ，ｅｔ　ａ１．２，６－ｂｉｓ［２－（４一ｐｅｎ—　ｔｙｌｐｈｅｎｙ１）ｖｉｎｙ１］ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ：Ａ　ｓｔａｂｌｅ　ａｎｄ　ｈｉｇｈ　ｃｈａｒｇｅ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｏｒ－　ｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｗｉｔｈ　ｄｅｎｓｅｌｙ　ｐａｃｋｅｄ　ｃｙｒｓｔｌａ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００６，１２８（２９）：９３０４—９３０５．　［９］ＷＡＮＧ　Ｃ，ＬＩＵ　Ｙ，ＪＩ　Ｚ，ｅｔ　ａ１．Ｃｒｕｃｉｆｏｒｍｓ：Ａｓｓｅｍｂｌｉｎｇ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃｙｒｓｔａｌ　ｍｉｃｒｏ－ｎａｄ　ｎａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｆｒｏｍ　ｏｎｅ　ｔｏ　ｔｈｒｅｅ　ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ　ａｎｄ　ｔｈｅｉｒ　ａｐ－　ｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｍａｔｅｒ，２００９，　２１：２８４０—２８４５．　［１０］ＺＨＡＮＧ　Ｘ　Ｊ，ＹＵＡＮ　Ｇ　Ｄ，ＬＩ　Ｑ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．Ｓｉｎｇｌｅ・ｃｒｙｓｔａｌ　９，１０一ｄｉｐｈｅ－　ｎｙｌｎａｔｈｒａｅｅｎｅ　ｎａｎｏｉｒｂｂｏｎｓ　ａｎｄ　ｎａｎｏｒｏｄｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｍａｔｅｒ，２００８，　２０（２２）：６９４５—６９５０．　［１１］ＭＥＮＧ　Ｈ，ＳＵＮ　Ｆ　Ｐ，ＧＯＬＤＦＩＮＧＥＲ　Ｍ　Ｂ，ｅｔ　１ａ．Ｈｉｇｈ—ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，　ｓｔａｂｌｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｔｈｉｎ—ｆｉｌｍ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｂｉｓ－５’一ａｌ—　ｋｙｈｈｉｏｐｈｅｎ－２’ｙｌ－２，６－ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００５，１２７（８）：２４０６—２４０７．　［１２］ＡＮＴＨＯＮＹ　Ｊ　Ｅ，ＢＲＯＯＫＳ　Ｊ　Ｓ，ＥＡＴＯＮ　Ｄ　Ｌ，ｅｔ　ａ１．Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ　ｐｅｎｔａｃｅｎｅ：Ｉｍｐｒｏｖｅｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｆｒｏｍ　ｃｏｎｔｒｏｌ　ｏｆ　ｓｏｌｉｄ—ｓｔａｔｅ　ｏｒｄｅｒ［Ｊ］．ＪＡｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００１，１２３（３８）：９４８２—９４８３．　［１３］ＧＵＮＤＬＡＣＨ　Ｄ　Ｊ，ＮＩＣＨＯＬＳ　Ｊ　Ａ，ＺＨＯＵ　Ｌ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｉｎ—ｉｆｌｍ　ｔｒａｎ—　ｓｉｓｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｗｅｌｌ—ｏｒｄｅｒｅｄ　ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ｅｖａｐｏｒａｔｅｄ　ｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ　ｉｆｌｍｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００２，８０（１６）：２９２５—２９２７．　［１４］ＧＯＬＤＭＡＮＮ　Ｃ，ＨＡＡＳ　Ｓ，ＫＲＥＬＬＮＥＲ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｈｏｌｅ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌｓ　ｍｅａｓｕｒｅｄ　ｂｙ　ａ”ｆｌｉｐ—ｃｒｙｓｔａｌ”ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ［Ｊ］　Ｊ　Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ，２００４，９６（４）：２０８０—２０８６．　［１５］ＫＩＭＯＴＯ　Ｔ，ＴＡＮＡＫＡ　Ｋ，ＫＡＷＡＨＡＴＡ　Ｍ，ｅｔ　ａ１．Ｂｉｓ（ｍｅｔｈｙｈｈｉｏ）　ｔｅｔｒａｃｅｎｅｓ：Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ｃｒｙｓｔａｌ—ｐａｃｋｉｎｇ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，ａｎｄ　ＯＦＥＴ　ｐｒｏｐｅｒ－　ｔｉｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｏｒｇ　Ｃｈｅｍ，２０１１，７６（１２）：５０１８－５０２５．　［１６］ＭＯＯＮ　Ｈ，ＺＥＩＳ　Ｒ，ＢＯＲＫＥＮＴ　Ｅ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ｃｙｒｓｔａｌ　ｓｔｒｕｃ—　ｔｕｒｅ，ａｎｄ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆ　ｔｅｔｒａｃｅｎｅ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００４，１２６（４７）：１５３２２—１５３２３．　［１７］ＤＯＮＧ　Ｈ，ＷＡＮＧ　Ｃ，ＨＵ　Ｗ．Ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｅｏｎ—　ｄｕｃｔｏｒｓ　ｏｆｒ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｃｏｍｍｕｎ，２０１０，４６　（２９）：５２１１—５２２２．　［１８］ＳＵＮＤＡＲ　Ｖ　Ｃ，ＺＡＵＭＳＥＩＬ　Ｊ，ＲＯＧＥＲＳ　Ｊ　Ａ，ｅｔ　ａ１．Ｅｌｓａｔｏｍｅｒｉｃ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｓｔａｍｐｓ：Ｒｅｖｅｒｓｉｂｌｅ　ｐｒｏｂｉｎｇ　ｏｆ　ｃｈａｒｇｅ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｃｒｙｓｔａｌｓ［Ｊ］．Ｓｃｉｅｎｃｅ，２００４，３０３（５６６４）：１６４４—１６４６．　［１９］ＭＥＲＬＯ　Ｊ　Ａ，ＮＥＷＭＡＮ　Ｃ　Ｒ，ＧＥＲＬＡＣＨ　Ｃ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．ｐ－ｃｈａｎｎｅｌ　ｏｒ－　ｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｈｙｂｒｉｄ　ａｃｅｎｅ—ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ　ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ　ｆｏｒ　ｔｈｉｎ－ｉｆｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００５，１２７　（１１）：３９９７—４００９．　［２０］ｕ　Ｘ　Ｃ，ＳＩＲＲＩＮＧＨＡＵＳ　Ｈ，ＧＡＲＮＩＥＲ　Ｆ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｈｉｇｈｌｙ　－ｓｔａｃｋｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｆｏｒ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｆｕｓｅｄ　ｔｈｉｏ—　ｐｈｅｎｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，１９９８，１２０（９）：２２０６—２２０７．　［２１］ＨＯＬＭＥＳ　Ｄ，ＫＵＭＡＲＡＳＷＡＭＹ　Ｓ，ＭＡＴＺＧＥＲ　Ａ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｏｎ　ｔｈｅ　ｎａｔｕｒｅ　ｏｆ　ｎｏｎｐｌａｎａｒｉｔｙ　ｉｎ　ｔｈｅ［Ｎ］Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｅｕｒ　Ｊ，　１９９９，５（１Ｉ）：３３９９—３４１２．　［２２］ＷＡＮＧ　Ｃ　Ｈ，ＪＩＡＮ　Ｓ　Ｄ，ＣＨＡＮ　Ｓ　Ｗ，ｅｔ　ａ１．Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｓｔｂａｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｏｒ－　ｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｗｉｔｈ　ｂｌｅｎｄ　ｐｅｎｔａｃｅｎｅ／ａｎｔｈｒａｄｉｔｈｉｏ－　ｐｈｅｎｅｆｉｌｍｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｐｈｙｓ　Ｃｈｅｍ　Ｃ，２０１１，１１６（１）：１２２５—１２３１．　［２３］ＭＩＡＯ　Ｑ，ＣＨＩ　Ｘ　Ｌ，ＸＩＡＯ　Ｓ　Ｘ，ｅｔ　ａ１．Ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ａｃｅｎｅｓ　ｗｉｔｈ　ａ　ｃｒｕｃｉｆｏｒｍ　ａｓｓｅｍｂｌｙ　ｍｏｔｉｆ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００６，１２８（４）：　１３４０—１３４５．　［２４］ＭＥＮＧ　Ｈ，ＢＥＮＤＩＫＯＶ　Ｍ，ＭＩＴＣＨＥＬＬ　Ｇ，ｅｔ　ａ１．Ｔｅｔｒｍａｅｔｈｙｌｐｅｎｔａ－　第４期　傅妮娜等：多并苯和杂环多并苯材料研究进展　ｌｌ３　ｃａｎｅ：Ｒｅｍａｒｋａｂｌｅ　ａｂｓｅｎｃｅ　ｏｆ　ｓｔｅｒｉｃ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｎ　ｆｉｅｌｄ　ｅｆｆｅｃｔ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ　［４０］ＺＨＡＮＧ　Ｌ，ＴＡＮ　Ｌ，ＷＡＮＧ　Ｚ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ—ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ｓｔａｂｌｅ　ｏｒ－　ｇａｎｉｃ　ｉｆｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒｎｓｉｓａｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｔｒａｎｓ－１，２一（Ｄｉｔｈｉｅｎｏ［２，３－ｂ：　［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２００３，１５（１３）：１０９０—１０９３．　［２５］ＫＥＬＬＥＹ　Ｔ　Ｗ，ＢＯＡＲＤＭＡＮ　Ｌ　Ｄ，ＤＵＮＢＡＲ　Ｔ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ—ｐｅｒ－　３　，２＇－ｄ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）ｅｔｈｅｎｅ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｍａｔｅｒ，２００９，２１（９）：１９９３　—ｆｏｒｍａｎｃｅ　ＯＴＦＴｓ　ｕｓｉｎｇ　ｓｕｒｆａｃｅ・ｍｏｄｉｉｆｅｄ　ａｌｕｍｉｎａ　ｄｉｅｌｅｃｔｉｒｃｓ［Ｊ］．Ｊ　Ｐｈｙｓ　Ｃｈｅｍ　Ｂ，２００３，１０７（２４）：５８７７—５８８１．　１９９９．　［４１］ＡＭＵＮＤＳＯＮ　Ｋ　Ｒ，ＳＡＰＪＥＴＡ　Ｂ　Ｊ，ＬＯＶＩＮＧＥＲ　Ａ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ａｎ　ｉｎ－　ｐｌａｎｅ　ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｂａｓｅｄ　ｕｐｏｎ　ｐｏｌｙ（３－ｈｅｘｙｌ　［２６］ＡＮＴＨＯＮＹ　Ｊ　Ｅ，ＥＡＴＯＮ　Ｄ　Ｌ，ＰＡＲＫＩＮ　Ｓ　Ｒ．Ａ　ｒｏａｄ　ｍａｐ　ｔｏ　ｓｔａｂｌｅ，　ｓｏｌｕｂｌｅ，ｅａｓｉｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚｅｄ　ｐｅｎｔａｃｅｎｅ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ［Ｊ］．Ｏｒｇ　Ｌｅｔｔ，　２００２，４（１）：１５一ｌ８．　ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）［Ｊ］．Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ，２００２，４１４（１）：１４３—１４９．　［４２］ＴＡＫＩＭＩＹＡ　Ｋ，ＫＵＮＵＧＩ　Ｙ，ＫＯＮＤＡ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．２，６－Ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｏ　［２７］ＳＨＥＲＡＷ　Ｃ　Ｄ，ＪＡＣＫＳＯＮ　Ｔ　Ｎ，ＥＡＴＯＮ　Ｄ　Ｌ，ｅｔ　ａ１．Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ　［１，２－ｂ：４，５－ｂ‘］ｄｉｃｈａｌｃｏｇｅｎｏｐｈｅｎｅｓ：Ａ　ｎｅｗ　ｃｌｓａｓ　ｏｆ　ｈｉｇｈ—ｐｅｒ－　ｐｅｎｔａｃｅｎｅ　ａｃｔｉｖｅ　ｌａｙｅｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，　２００３，１５（２３）：２００９—２０１１．　［２８］ＬＩ　Ｙ，ｗｕ　Ｙ，ＬＩＵ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔａｂｌｅ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ－ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ　ｈｉｇｈ—ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ　ｐｅｎｔａｃｅｎｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｍａｔｅｒ，２００７，１９　（３）：４１８—４２３．　［２９］ＰＡＹＮＥ　Ｍ　Ｍ，ＯＤＯＭ　Ｓ　Ａ，ＰＡＲＫＩＮ　Ｓ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．Ｓｔａｂｌｅ，ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ　ａｃｅｎｅ出ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｓ　ｗｉｔｈ　ｕｐ　ｔｏ　ｓｅｖｅｎ　ｌｉｎｅａｒｌｙ　ｆｕｓｅｄ　ｒｉｎｇｓ［Ｊ］．Ｏｒｇ　Ｌｅｔｔ，２００４，６（１９）：３３２５—３３２８．　［３Ｏ］ＰＯＮＺＩＮＩ　Ｆ，ＺＡＧＨＡ　Ｒ，ＨＡＲＤＣＡＳＴＬＥ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．Ｐｈｅｎｙｌ／ｐｅｎｔａｌｆｕ－　ｏｒｏｐｈｅｎｙｌ　ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｏｒｄｅｒｅｄ　ｍｉｘｅｄ　ｃｒｙｓ－　ｔｌａｓ：Ｓｙｍ－ｔｒｉｐｈｅｎｅｔｈｙｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ　ａｎｄ　ｓｙｍ・ｔｒｉｓ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｅｔｈｙ－　ｎｙ１）ｂｅｎｚｅｎｅ［Ｊ］．Ａｎｇｅｗ　Ｃｈｅｍ　Ｉｎｔ　Ｅｄ，２０００，３９（１３）：２３２３　—２３２５．　［３１］ＳＷＡＲＴＺ　Ｃ　Ｒ，ＰＡＲＫＩＮ　Ｓ　Ｒ，ＢＵＬＬＯＣＫ　Ｊ　Ｅ，ｅｔ　１ａ．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ　ａｎｄ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｅｌｅｃｔｏｒｎ—ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ　ｐｅｎｔａｃｅｎｅｓ［Ｊ］．Ｏｒｇ　Ｌｅｔｔ，　２００５，７（１５）：３１６３—３１６６．　［３２］ＳＡＫＡＭＯＴＯ　Ｙ，ＳＵＺＵＫＩ　Ｔ，ＫＯＢＡＹＡＳＨＩ　Ｍ，ｅｔ　ａＩ．Ｐｅｒｆｌｕｏｒｏｐｅｎｔａ－　ｃａｎｅ：Ｈｉｇｈ—ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｐ－ｎ　ｊｕｎｃｔｉｏｎｓ　ａｎｄ　ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　ｃｉｒｃｕｉｔｓ　ｗｉｔｈ　ｐｅｎｔａｃｅｎｅ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓａｃ，２００４，１２６（２６）：８１３８　—８１４０．　［３３］ＤＯＮＧ　Ｈ，ＷＡＮＧ　Ｃ，ＨＵ　Ｗ．Ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｅｏｎ－　ｄｕｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒｎａｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｃｏｍｍｕｎ，２０１０，４６　（２９）：５２１１—５２２２．　［３４］ＬＩ　ｘ　Ｃ，ＳＩＲＲＩＮＧＨＡＵＳ　Ｈ，ＧＡＲＮＩＥＲ　Ｆ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｈｉ　ｌｙ　一ｓｔａｃｋｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｆｏｒ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｆｕｓｅｄ　ｔｈｉｏ—　ｐｈｅｎｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，１９９８，１２０（９）：２２０６—２２０７．　［３５］ＳＩＲＲＩＮＧＨＡＵＳ　Ｈ，ＦＲＩＥＮＤ　Ｒ　Ｈ，ＬＩ　Ｘ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｂｉｓ（ｄｉｈｔｉｅｎｏｔｈｉｏ—　ｐｈｅｎｅ）ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｗｉｔｈ　ａ　ｈｉ　ｇｈ　ＯＮ／ＯＦＦ　ｒａｔｉｏ　［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，１９９７，７１（２６）：３８７１—３８７３．　［３６］ＳＵＮ　Ｙ　Ｍ，ＭＡ　Ｙ　Ｗ，ＬＩＵ　Ｙ　Ｑ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ—ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ａｎｄ　ｓｔａｂｌｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｔｈｉｎ—ｉｆｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｉｌ　ｆｕｓｅｄ　ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｆｕｎｅｔ　Ｍａｔｅｒ，２００６，１６：４２６—４３２．　［３７］ＯＰＥＲＡＭＯＬＬＡ　Ａ，ＦＡＲＩＮＯＬＡ　Ｇ　Ｍ．Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ａｎｄ　ｓｕｐｒａｍｏｌｅｃｕ—　ｌｒａ　ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅｓ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　ｉｆｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ａｎｄ　ｓｅｎｓｏｓｒ：Ａ　ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｐｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅ［Ｊ］．Ｅｕｒ　Ｊ　Ｏｒｇ　Ｃｈｅｍ，２０１１，２０１１（３）：４２３—４５０．　［３８］ＧＡＯ　Ｊ，ＬＩ　Ｌ，ＭＥＮＧ　Ｑ，ｅｔ　ａ１．Ｄｍｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ　ａｓ　ｎｅｗ　ｐｒｏｔｏｔｙｐｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｓｒ　ｏｆｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ－ｅｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｓｒ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ，２００７，１７：１４２１—１４２６．　［３９］ＴＡＮ　Ｌ，ＺＨＡＮＧ　Ｌ，ＪＩＡＮＧ　Ｘ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｄｅｎｓｅｌｙ　ａｎｄ　ｕｎｉｆｏｒｍｌｙ　ｐａｃｋｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ａｎｎｅｌａｔｅｄ　Ｂ—ｔｒｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅｓ　ｆ０ｒ　ｈ　－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｆｕｎｅｔ　Ｍａｔｅｒ，　２００９，１９（２）：２７２—２７６．　ｆｏｒｍａｎｃｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００４，１２６（１６）：５０８４—５０８５．　［４３］ＭＥＮＧ　Ｑ，ＪＩＡＮＧ　Ｌ，ＷＥＩ　ｚ　Ｍ，ｅｔ　１ａ．Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｉｆｅｌｄ—　ｅｆｆｅｃｔ　ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｂｙ　ｉｎｔｒｏｄｕｃｉｎｇ　ａｒｙｌ—ａｃｅｔｙｌｅｎｅ　ｉｎｔｏ　ｂｅｎｚｏｄｉｔｈｉｏ－・　ｐｈｅｎｅ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ，２０１０，２０：１０９３１—１０９３５．　［４４］ＭＡＭＡＤＡ　Ｍ，ＮＩＳＨＩＤＡ　Ｊ，ＫＵＭＡＫＩ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｒ－　ｇａｒｌｉｃ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｆｆ［２，２　］ｂｉ［ｎａｐｈｔｈｏ［２，３－ｂ］　ｔｈｉｏｐｈｅｎｙ１］ｗｉｈｔ　ａ　ｓｉｍｐｌｅ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ，２００８，１８：　３４４２—３４４７．　［４５］ＬＩＵ　Ｙ，ＷＡＮＧ　Ｙ，ｗｕ　ｗ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ，ａｎｄ　ｉｆｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｆｔｈｉｅｎｏ［３，２－ｂ］ｔｈｉｅｎｏ［２　，３　：　４，５］ｔｈｉｅｎｏ［２，３－ｄ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｆｕｎｃｔ　Ｍａｔｅｒ，　２００９，１９（５）：７７２—７７８．　［４６］ＴＡＫＩＭＩＹＡ　Ｋ，ＫＵＮＵＧＩ　Ｙ，ＫＯＮＤＡ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．２，７－Ｄｉｐｈｅｎｙｌ［１］　ｂｅｎｚｏｓｅｌｅｎｏｐｈｅｎｏ［３，２－ｂ］［１］ｂｅｎｚｏｓｅｌｅｎｏｐｈｅｎｅ　ａｓ　ａ　ｓｔａｂｌｅ　ｏｒｇｎａ—　ｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｏｆｒ　ａ　ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｍｒａｎｃｅ　ｉｆｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒｎａｓｉｓｔｏｒ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００６，１２８（９）：３０４４—３０５０．　［４７］ＴＡＫＩＭＩＹＡ　Ｋ，ＥＢＡＴＡ　Ｈ，ＳＡＫＡＭＯＴＯ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．２，７－Ｄｉｐｈｅｎｙｌ［１］　ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｏ［３，２－ｂ］ｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ：Ａ　ｎｅｗ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｆ０ｒ　ａｉｒ—ｓｔａｂｌｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｗｉｔｈ　ｍｏｂｉｌｉｔｉｅｓ　ｕｐ　ｔｏ　２．０　ｅｍ　・Ｖ～・ｓ　［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００６，１２８（３９）：　１２６０４—１２６０５．　［４８］ＥＢＡＴＡ　Ｈ，ＩＺＡＷＡ　Ｔ，ＭＩＹＡＺＡＫＩ　Ｅ，ｅｔ　ａ１．Ｈｉｇｈｌｙ　ｓｏｌｕｂｌｅ［１］　ｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｏ［３，２－ｂ］ｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ＢＴＢＴ）ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ　ｆｏｒ　ｈｉｇｈ—　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ｓｏｌｕｔｉｏｎ－ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．　Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００７，１２９（５１）：１５７３２—１５７３３．　［４９］ＩＺＡＷＡ　Ｔ，ＭＩＹＡＺＡＫＩ　Ｅ，ＴＡＫＩＭＩＹＡ　Ｋ．Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｏｒｄｅｒｉｎｇ　ｏｆ　ｈｉｇｈ—ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｓｏｌｕｂｌｅ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ａｎｄ　ｒｅ—ｅｖａｌｕａ—　ｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅｉｒ　ｉｆｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｃｈａｒａｃｔｅｉｒｓｔｉｃｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，　２００８，２０（１８）：３３８８—３３９２．　［５０］ＴＡＮＧ　Ｍ　Ｌ，ＯＫＡＭＯＴＯ　Ｔ，ＢＡＯ　Ｚ　Ｎ．Ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ：Ａｓｙｍｍｅｔｉｒｃ　ｌｉｎｅａｒ　ｃａｅｎｅｓ　ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ｓｕｌｐｈｕｒ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００６，１２８（５０）：１６００２—１６００３．　［５１］ＴＡＮＧ　Ｍ　Ｌ，ＭＡＮＮＳＦＥＬＤ　Ｓ　Ｃ　Ｂ，ＳＵＮ　Ｙ　Ｓ，ｅｔ　１ａ．Ｐｅｎｔａｃｅｎｏ［２，３一　ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ，ａ　ｈｅｘａｃｅｎｅ　ａｎａｌｏｇｕｅ　ｆｏｒ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００９，１３１（３）：８８２～８８３．　［５２］ＸＩＡＯ　Ｋ，ＬＩＵ　Ｙ，ＱＩ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｈｉｇｈｌｙ　１ｒ—ｓｔａｃｋｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎ．　ｄｕｃｔｏｒ　ｆｏｒ　ｉｆｅｌｄ－ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｌｉｎｅａｒｌｙ　ｃｏｎｄｅｎｓｅｄ　ｐｅｎｔ—　ａｔｈｉｅｎｏａｃｅｎｅ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００５，１２７（３８）：１３２８１　—１３２８６．　［５３］ＴＡＮＧ　Ｍ，ＲＥＩＣＨＡＲＤＴ　Ａ　Ｄ，ＯＫＡＭＯＴＯ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ　ａｓｙｍｍｅｔｒｉｃ　ｌｉｎｅａｒ　ａｅｅｎｅｓ　ｆｏｒ　ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ—　ｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｆｕｎｃｔ　Ｍａｔｅｒ，２００８，ｌ８（１０）：１５７９—１５８５．　ｌ１４　南京邮电大学学报（自然科学版）　２０１３焦　［５４］ＧＡＯ　Ｊ　Ｈ，ＬＩ　Ｒ　Ｊ，ＬＩ　Ｌ　Ｑ，ｅｔ　１ａ．Ｈｉｇｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎ—　ｓｉｓｔｏｒ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｄｉｂｅｎｚｏ［ｄ，ｄ　］ｔｈｉｅｎｏ［３，２－ｂ；４，５－ｂ　］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ，　ａｎ　ｅａｓｉｌｙ　ｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｗｉｔｈ　ｈｉｇｈ　ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ　ｐｏｔｅｎｔｉａｌ　［Ｊ］．ＡｄｖＭａｔｅｒ，２００７，１９（１９）：３００８—３０１１．　［５５］ＬＩ　Ｒ，ＤＯＮＧ　Ｈ，ＺＨＡＮ　Ｘ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ　ｉｒｂｂｏｎｓ　ａｎｄ　ｔｒａｎ—　ｓｉｓｔｏｒｓ　ｏｆ　ａ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ　ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ　ｓｉｃｋｌｅ－・ｌｉｋｅ　ｆｕｓｅｄ・—ｉｒｎｇ　ｔｈｉｅｎｏａｃｅｎｅ　［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ，２０１０，２０：６０１４—６０１８．　［５６］ＤＵ　Ｃ，ＧＵＯ　Ｙ，ＬＩＵ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ａｎｔｈｒａ［２，３－ｂ］ｂｅｎｚｏ［Ｄ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ：　Ａｎ　ａｉｒ—ｓｔａｂｌｅ　ａｓｙｍｍｅｔｉｒｃ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　ｗｉｔｈ　ｈｉｇｈ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ａｔ　ｌｏｏｍ　ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ［Ｊｊ．Ｃｈｅｍ　Ｍａｔｅｒ，２００８，２０（１３）：４１８８　—４ｌ９ｏ．　［５７］ＰＡＹＮＥ　Ｍ　Ｍ，ＰＡＲＫＩＮ　Ｓ　Ｒ，ＡＮＴＨＯＮＹ　Ｊ　Ｅ，ｅｔ　ａ１．Ｏｒｇａｎｉｃ　ｆｉｅｌｄ—　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｆｒｏｍ　ｓｏｌｕｔｉｏｎ—ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ　ｆｕｎｅｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ　ａｃｅｎｅｓ　ｗｉｔｈ　ｎｉｂａｉｌｉｔｉｅｓ　ａ８　ｈｉｇｈ　ａｓ　１　ｃａ　／Ｖ・ｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００５，１２７　（１４）：４９８６—４９８７．　［５８］ＴＡＮＧ　Ｍ　Ｌ，ＲＥＩＣＨＡＲＤＴ　Ａ　Ｄ，ＳＩＥＧＲ１ＳＴ　Ｔ，ｅｔ　ａ１．Ｔｒｉｌａｋｙｌｓｉｌｙｌｅ—　ｔｈｙｎｙｌ—ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ　ｔｅｔｒａｃｅｎｏ［２，３－ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ　ａｎｄ　ａｎｔｈｒａ［２，３一　ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｍａｔｅｒ，２００８，２０（１４）：　４６６９—４６７６．　［５９］ＳＵＢＲＡＭＡＮＩＡＮ　Ｓ，ＰＡＲＫ　Ｓ　Ｋ，ＰＡＲＫＩＮ　Ｓ　Ｒ，ｅｔ　ａ１．Ｃｈｒｏｍｏｐｈｏｌｏ　ｌｆｕｏｒｉｎａｔｉｏｎ　ｅｎｈａｎｃｅｓ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ　ａｎｄ　ｓｔｂａｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ｓｏｌｕｂｌｅ　ａｎｔｈｒａ—　ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｓｒ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００８，１３０（９）：　２７Ｏ６—２７Ｏ７．　［６０］ＴＡＮＧ　Ｍ　Ｌ，ＲＥＩＣＨＡＲＤＴ　Ａ　Ｄ，ＷＥＩ　Ｐ，ｅｔ　ａ１．Ｃｏｒｒｅｌａｔｉｎｇ　ｃａｒｒｉｅｒ　ｔｙｐｅ　ｗｉｔｈ　ｆｒｏｎｔｉｅｒ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｏｒｂｉｔａｌ　ｅｎｅｒｇｙ　ｌｅｖｅｌｓ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｏｆ　ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ　ａｃｅｎｅ　ｄｅｉｒｖａｔｉｖｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００９，１３１（１４）：５２６４—５２７３．　［６１］ＴＡＮＧ　Ｍ　Ｌ，ＲＥＩＣＨＡＲＤＴ　Ａ　Ｄ，ＭＩＹＡＫＩ　Ｎ，ｅｔ　１ａ．Ａｍｂｉｐｏｌａｒ，ｈｉｇｈ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ，ａｃｅｎｅ－ｂａｓｅｄ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００８，１３０（１９）：６０６４—６０６５．　［６２］ＬＡＱＵＩＮＤＡＮＵＭ　Ｊ　Ｇ，ＫＡＴＺ　Ｈ　Ｅ，ＬＯＶＩＮＧＥＲ　Ａ　Ｊ．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，　ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ，ａｎｄ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｏｆ　ａｎｔｈｒａｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，１９９８，１２０（４），＊６６４—６７２．　［６３］ＹＡＭＡＤＡ　Ｋ，ＯＫＡＭＯＴＯ　Ｔ，ＫＵＤＯＨ　Ｋ，ｅｔ　ａ１．Ｓｉｎｇｌｅ—ｃｒｙｓｔａｌ　ｆｉｅｌｄ—　ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｏｆ　ｂｅｎｚｏａｎｎｕｌａｔｅｄ　ｆｕｓｅｄ　ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｕｅｓ　ａｎｄ　ｏｌｉｇｏ－　ｓｅｌｅｎｏｐｈｅｎｅｓ［Ｊ］．Ａｐｐｌ　Ｐｈｙｓ　Ｌｅｔｔ，２００７，９０（７）：０７２１０２（３）．　［６４］ＳＩＲＲＩＮＧＨＡＵＳ　Ｈ，ＦＲＩＥＮＤ　Ｒ　Ｈ，ＷＡＮＧ　Ｃ，ｅｔ　ａ１．Ｄｉｂｅｎｚｏｔｈｉｅｎｏ—　ｂｉｓｂｅｎｚｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ—ａ　ｎｏｖｅｌ　ｆｕｓｅｄ—ｒｉｎｇ　ｏｌｉｇｏｍｅｒ　ｗｉｔｈ　ｈｉｇｈ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ，１９９９，９：２０９５—２１０１．　［６５］ＹＡＭＡＭＯＴＯ　Ｔ，ＳＨＩＮＡＭＵＲＡ　Ｓ，ＭＩＹＡＺＡＫＩ　Ｅ，ｅｔ　ａ１．Ｔｈｒｅｅ　ｓｔｒｕｔ—　ｔｕｒａｌ　ｉｓｏｍｅｒｓ　ｏｆ　ｄｉｎａｐｈｔｈｏｔｈｉｅｎｏ［３，２－ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｓ：Ｅｌｕｃｉｄａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｐｈｙｓｉｃｏｅｈｅｍｉｃａｌ　ｐｒｏｐｅ￣ｉｅｓ，ｃｒｙｓｔｌａ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，ａｎｄ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎ—　ｓｉｓｔｏｒ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ［Ｊ］．Ｂｕｌｌ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ　Ｊｐｎ，２０１０，８３（２）：１２０　—１３Ｏ　［６６］ＫＡＮＧ　Ｍ　Ｊ，ＤＯＩ　Ｉ，ＭＯＲＩ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ａｌｋｙｌａｔｅｄ　ｄｉｎａｐｈｔｈｏ［２，３－ｂ：　２’，３’一ｆ］ｔｈｉｅｎｏ［３，２－ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｓ（Ｃｎ—ＤＮＴＹｓ）：Ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉ．　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ　ｆｏｒ　ｈｉＳｈ－ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ　ｔｈｉｎ－ｉｆｌｍ　ｔｒｎａｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａ—　ｔａｒ，２０１１，２３：１２２２—１２２５．　［６７］ＮＩＩＭＩ　Ｋ，ＳＨＩＮＡＭＵＲＡ　Ｓ，ＯＳＡＫＡ　Ｉ，ｅｔ　ａ１．Ｄｉａｎｔｈｒａ［２，３－ｂ：２’，　３’－ｆ］ｔｈｉｅｎｏ［３，２－ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ（ＤＡＴＴ）：Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａ—　ｔｉｏｎ，ａｎｄ　ＦＥＴ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｎｅｗ　ｆｆｆ—ｅｘｔｅｎｄｅｄ　ｈｅｔｅｒｏａｒｅｎｅ　ｗｉｔｈ　ｅｉｇｈｔｆｕｓｅｄ　ａｒｏｍａｔｉｃｔｉｎｇｓ［Ｊ］．ＪＡｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２０１１，１３３：８７３２—　８７３９．　［６８］ＴＡＮＧ　Ｑ，ＺＨＡＮＧ　Ｄ，ＷＡＮＧ　Ｓ，ｅｔ　ａ１．Ａ　ｍｅａｎｉｎｇｆｕｌ　ａｎａｌｏｇｕｅ　ｏｆ　ｐｅｎｔａｃｅｎｅ：Ｃｈａｒｇｅ　ｔｒａｎｓｐｏｒｔ，ｐｏｌｙｍｏｒｐｈｓ，ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ　ｏｆ　ｄｉｈｙｄｌｏｄｉａｚａｐｅｎｔａｃｅｎｅ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｍａｔｅｒ，２００９，２１（７）：１４００　—１４０５．　［６９］ＭＡ　Ｙ，ＳＵＮ　Ｙ，ＬＩＵ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｏｒｇｎａｉｃ　ｔｈｉｎ　ｉｆｌｍ　ｔｒｎａｓｉｓｔｏｓｒ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　ｓｔａｂｌｅ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓ　ｌａｄｄｅｒ　ｔｅｔｒａａｚａｐｅｎｔａｃｅｎｅｓ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｓｒ［Ｊ］．Ｊ　Ｍａｔｅｒ　Ｃｈｅｍ，２００５，１５：４８９４—４８９８．　［７０］ＬＩＡＮＧ　Ｚ，ＴＡＮＧ　Ｑ，ｘｕ　Ｊ，ｅｔ　ａ１．Ｓｏｌｕｂｌｅ　ａｎｄ　ｓｔｂａｌｅ　Ｎ－ｈｅｔｅｌｏｐｅｎｔａ—　ｃｅｎｅｓ　ｗｉｔｈ　ｈｉｇｈ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ［Ｊ］．Ａｄｖ　Ｍａｔｅｒ，２０１１，２３　（１３）：１５３５～１５３９．　［７１］ＺＨＡＯ　Ｈ，ＪＩＡＮＧ　Ｌ，ＤＯＮＧ　Ｈ，ｅｔ　ａ１．Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ　ｏｆ　ｉｎｔｅｒｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ＮＨ　ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｐａｃｋｉｎｇ　ａｎｄ　ｆｉｅｌｄ—ｅｆｆｅｃｔ　ｐｅｒｆｏｒｍ—　ｎａｃｅ　ｏｆ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｃｈｅｍ　Ｐｈｙｓ　Ｃｈｅｍ，２００９，１０　（１３）：２３４５—２３４８．　［７２］ＢＯＵＤＲＥＡＵＬＴ　Ｐ　Ｌ　Ｔ，ＷＡＫＩＭ　Ｓ，ＢＬＯＵＩＮ　Ｎ，ｅｔ　ａ１．Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ，ａｎｄ　ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｉｎｄｏｌｏ［３，２－ｂ］ｃａｒｂａｚｏｌｅ　ｓｅｍｉ—　ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００７，１２９：９１２５—９１３６．　［７３］ＡＨＭＥＤ　Ｅ，ＢＲＩＳＥＮＯ　Ａ　Ｌ，ＸＩＡ　Ｙ　Ｎ，ｅｔ　１ａ．Ｈｉｇｈ　ｍｏｂｉｌｉｔｙ　ｓｉｎｇｌｅ—　ｃｒｙｓｔａｌ　ｆｉｅｌｄ－－ｅｆｆｅｃｔ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ　ｆｒｏｍ　ｂｉｓｉｎｄｏｌｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃ－・　ｔｏｓｒ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２００８，１３０（４）：１１１８—１１１９．　［７４］ＱＵ　Ｈ　Ｍ，ＣＨＩ　Ｃ．Ａ　ｓｔｂａｌｅ　ｈｅｐｔａｅｅｎｅ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ　ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ　ｗｉｔｈ　ｅ—　ｌｅｅｔｒｏｎ—ｄｅｆｉｃｉｅｎｔ　ｔｒｉｌｆｕｏｒｏｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ　ａｎｄ　ｔｒｉｉｓｏｐｒｏｐｙｌｓｉｌｙｌｅｔｈｙｎｙｌ　ｇｒｏｕｐｓ［Ｊ］．Ｏｒｇ　Ｌｅｔｔ，２０１０，１２（１５）：３３６０—３３６３．　［７５］ＧＡＯ　Ｘ，ＨＯＤＧＳＯＮ　Ｊ　Ｌ，ＪＩＡＮＧ　Ｄ，ｅｔ　ａ１．Ｏｐｅｎ—ｓｈｅｌｌ　ｓｉｎｇｌｅｔ　ｃｈａｒ—　ａｃｔｅｒ　ｏｆ　ｓｔａｂｌｅ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ　ｏｆ　ｎｏｎａｅｅｎｅ，ｈｅｘａｅｅｎｅ　ａｎｄ　ｔｅｒａｎｔｈｅｎｅ　［Ｊ］．Ｏｒｇ　Ｌｅｔｔ，２０１１，１３（１３）：３３１６—３３１９．　［７６］ＫＡＵＲ　Ｉ，ＪＡＺＤＺＹＫ　Ｍ，ＳＴＥＩＮ　Ｎ　Ｎ，ｅｔ　ａ１．Ｄｅｓｉｇｎ，ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，ａｎｄ　ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ａ　ｐｅｒｓｉｓｔｅｎｔ　ｎｏｎａｃｅｎｅ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ［Ｊ］．Ｊ　Ａｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｃ，２０１０，１３２（４）：１２６１—１２６３．　［７７］ＧＡＯ　Ｂ，ＷＡＮＧ　Ｍ，ＣＨＥＮＧ　Ｙ，ｅｔ　ａ１．Ｐｙｒａｚｉｎｅ—ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ａｃｅｎｅ－　ｔｙｐｅ　ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｒｉｂｂｏｎｓ　ｗｉｔｈ　ｕｐ　ｔｏ　１６　ｒｅｅｔｉｌｉｎｅａｒｌｙ　ａｒｒａｎｇｅｄ　ｆｕｓｅｄ　ａｒｏｍａｔｉｃ　ｒｉｎｇｓ［Ｊ］．ＪＡｍ　Ｃｈｅｍ　Ｓｏｅ，２００８，１３０（２６）：８２９７—８３６０．　（下转第１１８页）