（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN200910201388.0 （22）申请日 2009.12.18
（71）申请人 上海凯世通半导体有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号
（10）申请公布号 CN1021021A
（43）申请公布日 2011.06.22
（72）发明人 陈炯
（74）专利代理机构 上海智信专利代理有限公司
代理人 薛琦
（51）Int.CI
C23C14/48;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
离子注入系统及改善束流流强和角度分布的方法
（57）摘要
本发明公开了一种离子注入系统中改善束
流流强和角度分布的方法，基于该束流测量设备测得的流强分布和角度分布数据执行以下步骤：S
法律状态
法律状态公告日
2011-06-22 2011-08-03
公开
实质审查的生效
法律状态信息
公开
法律状态
实质审查的生效
法律状态公告日
2013-02-13 2016-04-27
授权
法律状态信息
授权
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
法律状态
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
权利要求说明书
离子注入系统及改善束流流强和角度分布的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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