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专利名称：CMOS图像传感器专利类型：发明专利发明人：朴东赫
申请号：CN200610149987.9申请日：20061025公开号：CN1967857A公开日：20070523
摘要：一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，包括：光电二极管；与所述光电二极管的一侧接触的转移晶体管的栅图案；驱动晶体管的栅图案，其设置为距转移晶体管的栅图案具有一预定间隔距离；以及浮动扩散节点，其设置在转移晶体管的栅图案和驱动晶体管的栅图案之间。
申请人：美格纳半导体有限会社
地址：韩国忠清北道清州市
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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