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专利名称：一次编程存储器的制造方法专利类型：发明专利发明人：燕健硕
申请号：CN2004100233.X申请日：20041208公开号：CN1787207A公开日：20060614
摘要：本发明公开了一种一次编程存储器的制造方法。本发明的一次编程存储器的制造方法，主要用于半导造工艺的优化，提高半导体的芯片集成度。其主要是在硅基板上刻出槽后，形成电容介质膜，再以多晶硅填满沟槽，在硅基板中形成立体的电容。减少了占用的硅表面积，提高芯片的集成度。
申请人：上海华虹NEC电子有限公司
地址：201206 上海市浦东川桥路1188号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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