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专利名称：P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件
制作方法
专利类型：发明专利发明人：张鹏
申请号：CN201910937992.3申请日：20190930公开号：CN110660656A公开日：20200107
摘要：本发明涉及P型阱的离子注入方法、P型阱结构及CMOS器件制作方法，涉及半导体集成电路制造工艺，在P型阱结构的离子注入过程中，通过在阱的抑制穿通离子注入工艺与阈值电压调整离子注入工艺之间加入碳离子注入工艺，以在抑制穿通离子注入层与阈值电压调整离子注入层之间形成一层碳离子注入层的非晶化层，该非晶化层能抑制抑制穿通离子注入层的离子往阈值电压调整离子注入层扩散，保持PN结较浅掺杂一侧的浓度不变，阻止PN结寄生电容的增加。
申请人：上海华力集成电路制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：张彦敏
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