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专利名称：半导造装置及半导造方法专利类型：发明专利发明人：田中博司
申请号：CN201910993980.2申请日：20191018公开号：CN111092028A公开日：20200501
摘要：目的在于提供即使是加工得薄的晶片，也遍及晶片整面得到充分的异物去除性能的半导造装置及半导造方法。半导造装置具备：卡盘台(8)；洗涤器喷嘴(2)；洗涤器喷嘴扫描机构(11)；工作台旋转机构(12)；及保持台(41)，其具有保持流体喷嘴(41a)和顶板(41b)，保持流体喷嘴向晶片(1)的与处理面相反侧的面侧喷出保持流体，在顶板(41b)将保持流体喷嘴与周缘部相比配置于中心侧，顶板的一个主面朝向晶片的相反侧的面。使从保持流体喷嘴喷出的保持流体通过晶片的相反侧的面和顶板的一个主面间的区域，由此在该区域产生保持力，通过保持力在相反侧的面保持通过从洗涤器喷嘴喷出的洗涤流体(3)而对晶片的处理面施加的压力。
申请人：三菱电机株式会社
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：北京天昊联合知识产权代理有限公司
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