（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN01122782.6 （22）申请日 2001.07.20 （71）申请人 株式会社村田制作所
地址 日本京都府
（10）申请公布号 CN1334568A （43）申请公布日 2002.02.06
（72）发明人 长尾吉高;并河康训;广田俊春 （74）专利代理机构 上海专利商标事务所
代理人 钱慰民
（51）Int.CI
H01B3/12; C04B35/462; H01C7/02; H04N9/29;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻
（57）摘要
一种半导体陶瓷。其中包括铒,它在主要
成份钛酸钡、钛酸锶、钛酸铅和钛酸钙中作半导体媒介,半导体陶瓷的平均颗粒直径大约超过约5μm,但不到约14μm。此外,在每100mol的主要成份中,半导体陶瓷包含:一种作为添加物的含有
Er的化合物,其中Er超过约0.10mol但不到约0.33mol;一种含有Mn的化合物,其中Mn为约0.01mol或更多但不到约0.03mol;一种含有Si的化合物,其中Si为约1.0mol或更多但不到约5.0mol。因此,该半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻可提供高快速击穿性,在通断应用测试中能体现很好的效果且电阻率值不规则性很小。
法律状态
法律状态公告日
2001-11-21 2002-02-06 2004-10-13
法律状态信息
实质审查的生效
公开 授权
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权利要求说明书
半导体陶瓷和正温度系数热敏电阻的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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